??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。2三极管工作原理由于三极管大多工作在放大状态,这也是三极管应用的基础,下面我们将从三极管放大开始,逐步了解三极管的工作原理。
NPN型三极管-IC电子元器件
其中,夹在中间的P型材料称为基区,两侧的N型材料分别称为发射区和集电区。发射区与基区之间有一个PN结,集电区与基区之间也有一个PN结。02NPN型三极管特点1、放大作用:NPN型三极管具有放大电流和放大电压的作用,可以将输入信号的弱电流或弱电压放大为输出信号的较大电流或电压。2、开关作用:NPN型三极管在饱和...
这40个模拟电路基础知识太有用了!
7、三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)。8、肖特基二极管(Schottky,SBD)适用于高频开关电路,正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反...
哈尔滨理工大学计算机科学与技术学院半导体物理与集成电路基础
晶体管是由两个PN结组成的元器件,分为PNP和NPN两种类型,它的三端分别称为发射极e、基极b和集电极c。2晶体管的电流放大作用使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。晶体管的电流分配关系:发射区中多数载流子由于扩散运动而大量注入基区,其中仅有很少部分与基区的多数载流子复合,形...
【专利解密】英飞凌加速汽车IGBT市场的部署
在IGBT关断,并且集电极端子C与发射极端子E之间仍然有正电压时,空间电荷区(耗尽区)在基区11中从体区13与基区11之间的pn结开始扩展。在该模式下,集电极端子C处的电势相对于栅极端子G和发射极端子E处的电势可能会增加。参照图1,栅电极21通过基电极电介质32和基电极31分别电容性耦合到基区11和第二发射区15。然而,...
光伏设备行业深度报告:技术升级百花齐放,设备需求景气延续
背表面采用扩散法形成p+和n+交错间隔的交叉式电极接触高掺杂区,通过在钝化膜上开孔,实现金属电极与发射区的点接触连接,降低载流子的背表面复合速率(www.e993.com)2024年7月4日。由于采用背接触结构,串联电阻低于传统电池,具有较高的填充因子。此外,IBC电池外形美观,具有较好的商业化前景。缺点在于背表面需要多次掩模和光刻技术,工艺步骤...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
三极管内部基极-集电极之间的PN结,就像任何PN结一样,会在两种半导体结合地方得到一个没有任何载流子的耗尽区。当我们打开NPN三极管时(把它想成一个开关),我们实际上是通过在基极-发射极之间施加一个偏置电压来克服这个耗尽区,这样就开始把电子吸引到P型材料构成的基区,从而产生基极电流。结合二极管的导通的相关知识...
半导体芯片,到底是如何工作的?
第二种,像木材、玻璃、陶瓷、云母等这样的材料,不易导电,称为绝缘体;第三种,介于导体和绝缘体之间,会缓慢放电。第三种材料的奇葩特性,伏特将其命名为“SemiconductingNature”,也就是“半导体特性”。这是人类历史上第一次出现“半导体(semiconductor)”这一称呼。
太阳能电池技术进入转型期,新兴市场的应用加速
晶硅电池技术是以硅片为衬底,根据硅片的差异区分为P型电池和N型电池。两种电池发电原理无本质差异,都是依据PN结进行光生载流子分离。在P型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片;在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n型结构的太阳电池即为N型电池片。P型电池的PERC技术是当前晶...