合肥开梦申请存储器管理方法与存储装置专利,可在维持主机写入操作...

所述方法包括:配置多个快取实体单元;执行主机写入操作,以存储来自主机系统的数据;获取第一评估值,其反映至少一第一实体单元的总数,且第一实体单元不属于闲置实体单元;根据第一评估值确定目标管理策略;以及若目标管理策略为第管理策略,则根据第一评估值确定回收数量条件,并根据回收数量条件对不属于闲置实体单元的至少一...

台积电取得存储器器件、计算器件以及计算方法专利,电荷共享方案...

金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器器件、计算器件以及计算方法“,授权公告号CN113314163B,申请日期为2021年2月。专利摘要显示,电荷共享方案用于减轻单元电流的变化,以便为CIM计算获得更高的精度。在一些实施例中,电容器与每个SRAM单元相关联,并且与列中...

台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与...

金融界2024年7月23日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“存储器单元及其制造方法”,公开号CN202410349922.7,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,一种存储器单元,包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通...

长鑫存储申请磁随机存储器及其制备方法专利,可提升存储单元的排布...

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“磁随机存储器及其制备方法“,公开号CN117545280A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本申请提供一种磁随机存储器及其制备方法,涉及半导体存储技术领域,用于解决磁随机存储器的存储单元的排布密度小的技术问题。所述磁随机存储器包括...

...第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷

金融界2023年12月19日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利,公开号CN117253527A,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,提供了半导体装置。所述半导体装置可包括:存储器装置,包括存储器单元、页缓冲器和第一开关,第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端...

...存储器的修复方法及电子设备专利,增加存储器中对存储单元行的...

存储阵列包括多个存储区域,每一存储区域中均包括多行存储单元行(www.e993.com)2024年11月19日。存储控制电路包括与多个存储区域一一对应的多个字线驱动电路,解码器和驱动控制电路。每一字线驱动电路中均包括多个驱动子电路,每一驱动子电路连接对应的存储区域中的一行存储单元行,用于向存储单元行发送驱动信号;驱动控制电路与每一字线驱动电路中至少部分...

关于动态动态存储器的选择题

因此，正确答案是D，即动态存储器需要定期刷新每个存储单元中存储的信息。Thecharacteristicofdynamicmemoryis:D.Itrequiresregularrefreshmentofthestoredinformationineachmemorycell.Explanation:DynamicRandom-AccessMemory(DRAM)isprimarilycharacterizedbyitsmemorycells,whichare...

存储芯片,这一品类最赚钱

Flash是常见的用于存储数据的半导体器件，又称闪存，主要分为两种：NORFlash和NANDFlash。NANDFlashNANDFlash存储器是一种非挥发性存储技术，相比传统存储解决方案，它提供更快的读写速度、更高的储存容量和更好的能源效率。NANDFlash单元将数据存储在一个存储单元中，每个单元能够存储多个的信息。根据...

新一代AI应用的存储利器来临?

4DS存储器能够在高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)之间切换存储单元。然后由存储器电路读取该状态,以确定该单元在数字意义上是将被编程为“1”还是“0”。基于区域的4DS单元既表现出极快的写入速度,又表现出长保持时间,填补了迄今为止尚未解决的存储器领域的缺口。

3D DRAM行业研究:3D DRAM时代到来,国产DRAM迎来契机

DRAM的基本存储单元由一个晶体管(Transistor)和一个电容器(Capacitor)构成,也被称为1T1C。晶体管作为开关控制是否允许电荷的流入或流出,电容器则用来存储电荷,当电容器充满电后表示1,未充电时则存储0。DRAM沿用2D方式缩小器件尺寸遇阻随着摩尔定律推进速度放缓,DRAM技术工艺也逐渐步入了瓶颈期。从技术角度上看,...