8种开关电源MOS管的工作损耗计算
计算IDS(on)rms时使用的时期仅是导通时间Ton,而不是整个工作周期Ts;RDS(on)会随IDS(on)(t)值和器件结点温度不同而有所不同,此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的RDS(on)值(即乘以规格书提供的一个温度系数K)。2、截止损耗Poff截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压...
吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管也能工作在放大区,而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗...
上海贝岭申请沟槽栅MOS-GCT器件及其制备方法专利,通过控制P型...
P型半导体掺杂漏区、N型半导体辅助区、N型半导体掺杂阴极区、P型半导体掺杂基区、N型半导体掺杂漂移区、N型半导体掺杂场阻止区、P型半导体掺杂阳极区以及金属化阳极区;P型半导体掺杂基区包括若干个P型半导体掺杂基层小区域;P型半导体掺杂基层小区域之间的重合面积与器件的导通性能成反比。
芯片,复杂E/E架构进行有限收敛的关键
高边驱动开关MOS位于电源和负载之间,低边驱动开关MOS位于负载和接地之间。器件选择来看,高边驱动需具备一定的耐压和大电流承受能力,因此多采用阻断电压高的PMOS器件。低边驱动需求的电压低,因此多选用NMOS器件。对比来看,由于NMOS器件导通电阻低,电路简单,低边驱动在成本方面存在一定优势。但在汽车控制器中,低边驱动的...
第4讲:SiC的物理特性
关于硼,由于受主能级较深,无法获得低电阻p型半导体,因此常用在保持器件耐压的终端区域。此外,与Si等材料相比,由于SiC的晶体结构较为复杂,掺杂原子取代的位置不同会导致形成的能级不同。在推导载流子迁移率、估算电阻值的温度依赖性等方面,严格来说需要考虑这一点,但在估算器件特性时,使用平均值并没有问题。
MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍
1、什么是MOS管的SOA区,有什么用?SOA区指的是MOSFET的安全工作区,其英文单词是SafeOperatingArea(www.e993.com)2024年9月20日。也有一些厂家叫ASO区,其英文单词是AreaofSafeOpration,总之,两者是一个意思,下面我们统一称为SOA区一般MOSFET都会给出SOA这个曲线,SOA区就是指的是曲线与横纵坐标轴围成的面积区域。如下图所示,这是TI...
一文了解那些内置TO封装功率器件的快充
丽隽MOS管PSA10N65CPIP丽隽PSA10N65C是一颗耐压650V的NMOS管,导阻0.7Ω,采用TO-220F封装。锦鸿泰140W2C1A三口氮化镓充电器锦鸿泰这款140W氮化镓充电器采用白色外壳,折叠插脚,美观实用。充电器为主流的2C1A接口配置,USB-C1接口支持140W输出,可以满足苹果MacBookPro笔记本电脑的快充需求,USB-C2支持...
MOS管和IGBT管有什么区别?
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。如上图,MOSFET种类与电路符号。有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。关于寄生二极管的作用,有两种解释:MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿...
半导体芯片,到底是如何工作的?
矿石检波器是人类最早的半导体器件。它的出现,是半导体材料的一次“小试牛刀”。尽管它存在一些缺陷(品控差,工作不稳定,因为矿石纯度不高),但有力推动了电子技术的发展。当时,基于矿石检波器的无线电接收机,促进了广播和无线电报的普及。能带理论的问世...
碳化硅器件应用及优势
但在高温下放置,液态硅挥发非常困难,并且碳在硅溶液中的溶解度极低,通常需要添加Ni、Ti、Cr等金属助溶剂增加碳的溶解度,而助溶剂易引发器件工作区域易受金属污染、硅及助溶剂高压蒸汽腐蚀石墨件等问题。目前国内液相法长晶大多数衬底大厂已着手工艺开发,未来以丰港化学、晶升股份、汉虹精密为代表的长晶设备厂商...