华虹宏力“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”专利公布

本发明提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列,包括P型衬底;位于P型衬底内的N阱;位于N阱上的挨着的第一、第二和第三多晶硅栅,第一多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第一多晶硅栅极;第二多晶硅栅包括栅氧层和位于栅氧层上方的第二多晶硅栅极;第三多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第三多晶硅栅极;...

深圳大普微电子取得一种存储器管脚的寄存器分配方法专利

金融界2024年11月25日消息,国家知识产权局信息显示,深圳大普微电子科技有限公司取得一项名为“一种存储器管脚的寄存器分配方法、系统及装置”的专利,授权公告号CN113947051B,申请日期为2021年10月。本文源自:金融界作者:情报员

2024年全球高带宽存储器行业发展历程分析 行业已经入快速迭代阶段...

高带宽存储器(HighBandwidthMemory,HBM)是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片,HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术,把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。2、行业发展历程:已进入快速迭代阶段全球HBM行业发展主要分三个阶段:初始阶段(2013-2014年),HBM...

万润科技:公司半导体存储器部分产品可应用于消费电子领域

万润科技:公司半导体存储器部分产品可应用于消费电子领域同花顺(300033)金融研究中心11月20日讯,有投资者向万润科技(002654)提问,公司国产化LPDDR4X已发布,全国产化存储方案,通过自研内存测试技术,提供低成本、通用性的测试方案,为客户定制开发提供高品质、高可靠性的内存存储产品,可运用于手机存储、平板存储等嵌入式...

预见2024:《2024年中国高带宽存储器行业全景图谱》(附市场现状...

目前我国高带宽存储器企业分为三大梯队,第一梯队为海外龙头企业,主要包括SK海力士、三星和美光科技三大龙头;第二梯队为国内HBM制造企业,包括苏昂郭伟、武汉新芯和长鑫存储,但这三家企业目前尚无实际产能;第三梯队为国内HBM封测企业,主要包括通富微电、长电科技、国芯科技等具有HBM封测能力的企业。

2024年中国半导体存储器产业链图谱研究分析(附产业链全景图)

半导体存储器产业链上游为原材料及设备，原材料主要包括硅片、光刻胶、光掩模、电子特气，设备主要包括光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、检测设备(www.e993.com)2024年11月26日。半导体存储器产业链中游为半导体存储器生产制造，半导体存储器可分为易失性存储和非易失性存储。半导体存储器产业链下游为半导体存储器应用领域，主要包括消费电子、信息通信...

【研报】HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件,半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。半导体存储器按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储器和非易失性存储器。易失存储芯片主要包含静态...

苹果公司申请动态分配高速缓存存储器作为RAM专利,通过从高速缓存...

金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“动态分配高速缓存存储器作为RAM“，公开号CN117940908A，申请日期为2022年7月。专利摘要显示，一种装置包括高速缓存控制器电路和高速缓存存储器电路，该高速缓存存储器电路还包括具有多个高速缓存行的高速缓存存储器。该高速缓存控制器电路可被...

2025国考中国证监会招考职位专业科目笔试考试大纲(计算机类)

存储器的分类、存储器的层次化结构、半导体随机存取存储器、主存储器与CPU的连接、高速缓冲存储器(Cache)、虚拟存储器4.指令系统指令格式、指令的寻址方式、CISC和RISC的基本概念5.中央处理器(CPU)CPU的功能和基本结构、指令执行过程、数据通路的功能和基本结构、控制器的功能和工作原理、指令流水线...

...三星等国际知名厂商的代理商,代理分销海力士的存储器、三星的...

公司未代理销售三星内存，不是前后矛盾吗？雅创电子（301099.SZ）3月29日在投资者互动平台表示，WE为海力士、三星等国际知名厂商的代理商，代理分销海力士的存储器、三星的电容等产品。(记者毕陆名)免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前核实。据此操作，风险自担。每日经济新闻...