荣威RX5智驾域控器拆解分析

图中编号依次为:1-地平线J3,2-镁光DDR42G,3-三星eMMC64G,4-美国芯成Norflash,5-英飞凌AURIXTC397,6-UbloxZEDF9K,7-NXP交换机SJA1105Q,8-电源芯片MC33PF8100A0ES,9-电源芯片英飞凌355584,10-PHY芯片RTL9010AA,12-电源管理芯片MPF5024AMMA0ES。自动驾驶域控制器PCB背面标注图4...

域控拆解 | 荣威 RX5 NGP 智驾版域控制器设计方案

为实现多传感器的融合,实现更复杂的算法,上汽荣威NGP智驾版域控制器由宏景智驾提供,该智驾域控制器使用了3颗地平线征程3高性能国产AI芯片,该芯片使用的是地平线自研的伯努利2.0BPU??架构,实现环境感知、地图定位、融合规划等多种智能驾驶算法模块,实现360°周视视觉感知全覆盖。此外,该系统支持高效的智能驾驶规划...

DRAM芯片战争,跨越40年的生死搏杀

1969年7月,场效应管小组推出了256bit容量的静态随机存储器芯片C1101。这是世界第一个大容量SRAM存储器。霍尼韦尔很快下达了订单。随后,英特尔研究小组不断解决生产工艺中的缺陷,于1970年10月,推出了第一个动态随机存储器(DRAM)芯片C1103,有18个针脚。容量有1Kbit,售价仅有10美元,它标志着DRAM内存时代的到来。当时...

一个号称“万能”的CPU架构

地址转换性能也很重要,因此Tachyum将最后一级TLB大小从256增加到2048个条目。在条目数方面,它与Zen2、Zen3和GoldenCove相匹配。为了进一步提高TLB覆盖率,Prodigy确实以64KB的页面大小和32MB的大页面来处理更大粒度的任务。2048个条目的L2TLB将覆盖128MB和64KB页面。

NEO推出突破性3D X-DRAM技术;消息称三星减产规模高达25%;南亚科技...

它可以使用今天的3DNAND类工艺制造,只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种电池结构简化了工艺步骤,提供了一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。根据Neo的估计,3DX-DRAM??技术可以通过230层实现128Gb的密度,这是当今DRAM密度的8倍。

科普:图说芯片技术60多年的发展史

图14.基尔比和诺伊斯与他们发明的芯片1959年,贝尔实验室的韩裔科学家江大原(DawonKahng)和马丁.艾塔拉(MartinM.Atalla)发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET),这是第一个真正的紧凑型MOSFET,也是第一个可以小型化并实际生产的晶体管,它可以大部分代替JFET(www.e993.com)2024年11月17日。

存储芯片行业研究报告:存储60年,观历史,聊兴衰

从存储市场规模来看,2019年机械硬盘市场规模约为585亿美元,占据总体市场的32.25%;DRAM市场规模约为603亿美元,占33.24%;FLASH市场规模约为480亿美元,占26.46%。1.3半导体存储市场规模达千亿美元,为最重要的数字存储介质半导体行业可以细分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、传感器、分立器件等。存...

纪念晶体管诞生71周年——改变世界30款芯片大阅兵!

正如这个Micronas的设计文件所显示的,MAS3507是只为做好一件事设计的,即只能很好地解码MPEGAudioLayerIII(即MP3)数据。德州仪器TMC0281语音合成器(1978)TexasInstrumentsTMC0281SpeechSynthesizer这是世界上第一款语音合成芯片制造商:德州仪器...

这近三十款芯片,有多少工程师用过?

UART的发明是由于贝尔自己需要将一个电传打印机(Teletype)连接到一个PDP-1,需要将并行信号转换为串行信号。贝尔于是设计了一个使用大约50个独立部件的电路。这个想法被证明是受欢迎的。当时西部数据公司(WesternDigital)是一家制造计算机芯片的小公司,它设计了单芯片版的UART。西部数据的创始人AlPhillips仍记得当时...

存储行业深度报告:周期弹性将现,“算力+”拓展边际空间

存储芯片(MemoryChip)是一种用于数据存储和读取的电子器件,其由一系列存储单元组成,每个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。存储芯片包括一旦断电储存的数据就会丢失的易失性存储(RAM),以及断电后不影响保存数据的非易失性存储(ROM)。其中,RAM按照是否需要刷新分为SRAM和DRAM(需要刷新),DRAM按应用...