纯干货!射频功率放大器(RF PA)概述
开关型功率放大器(SwitchingModePA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有丁(D)类放大器和戊(E)类放大器,丁类放大器的效率高于丙类放大器。SMPA将有源晶体管驱动为开关模式,晶体管的工作状态要么是开,要么是关,其电压和电流的时域波形不存在交叠现象,所以是直流功耗为零,理想的效率能达到100%。传统线性功率...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
当输入A和B为高电平时,晶体管T2和T3导通并充当共发射极放大器。晶体管T4和发射极处的二极管正向偏置,并且流过的电流量可以忽略不计。输出为低电平,代表逻辑0。当两个输入均为低电平时,二极管D1和D2正向偏置。由于5V的电源电压VCC,电流通过D1和D2以及电阻R1流向地面。R1...
基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...
基础知识之运算放大器
运算放大器按其放大率放大引脚间的电压差,因此输出电压表示如下。当运算放大器的开放增益Av足够大时,可视为左边近似于0、Vs=VOUT。增益较低时,公式左边不可近似于0,这样,输出电压会发生误差。之所以希望运算放大器有高开放增益,是因为通过该增益可尽量缩小输出电压误差。高开放增益从其他角度来看,意味着应尽量...
阿维塔11华为DriveONE电机控制器拆解分析
4、电源监控:PMIC可以监控电源状态,如电压、电流和温度,确保电源在安全范围内工作。5、节能管理:PMIC可能包含节能模式,当系统处于低功耗状态时,可以减少电源消耗。6、热管理:一些PMIC还具备热管理功能,能够监测芯片温度,防止过热。在电机控制器中,PMIC对于确保系统稳定、高效和安全的电源供应至关重要。它通过高效的...
替代昂贵的SRAM|晶体管|存储器|编码器|sram_网易订阅
创新的2T增益单元设计采用了更少的晶体管,其特点是由RWL驱动的单个高驱动电流NMOS读取器件和一个PMOS写入器件,可保持临界bit-1电压在VDD附近(www.e993.com)2024年8月16日。图2.(b)展示了2TeDRAM单元,其结构和工作原理与3TeDRAM有很大不同。之前的3TeDRAM单元使用PMOS器件作为写入访问晶体管,通过PMOS栅...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
2.3.碳化硅器件的主流形态包括二极管及晶体管两大类与硅基器件类似,碳化硅器件主要分为二极管类器件、晶体管类器件两大类。其中二极管及晶体管类的MOSFET器件应用较为广泛。二极管方面:碳化硅二极管主要包括肖特基势垒二极管(SBD),结势垒肖特基二极管(JBS),PiN二极管(PND型)等。器件结构来看碳化硅相比硅基器件并...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
注意:IGBT具有类似于二极管的电压降,通常为2V量级,仅随着电流的对数增加。IGBT使用续流二极管传导反向电流,续流二极管放置在IGBT的集电极-发射极端子上。IGBT的等效电路IGBT的近似等效电路由MOS管和PNP晶体管(Q1)组成,考虑到n-漂移区提供的电阻,电阻Rd已包含在电路中,如下图所示:...
行业聚焦,四家氮化镓企业的最新动向
如果在BROWNIN检测阶段未满足这个条件,那么在发送一系列窄脉冲之后,芯片将会重启。BROWNOUT在芯片的正常工作过程中,当原边MOS管导通时,会检测FB引脚的电流。如果该电流小于IBNO(~85UA),并且持续时间≥42毫秒,那么芯片将判断VBULK电压过低,发生BROWNOUT现象。在这种情况下,芯片将驱动输出并进入重启过程。CS...
干货|晶体管放大器结构原理图解
放大器的输入级功率放大器的输入级几乎一律都采用差分对管放大电路。由于它处理的信号很弱,由电压差分输入给出的是与输入端口处电压基本上无关的电流输出,加之他的直流失调量很小,固定电流不再必须通过反馈网络,所以其线性问题容易处理。事实上,它的线性远比单管输入级为好。图1-2示出了3种最常用的差分对管输入...