详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
禁带宽度(eV)1.121.41.33.23.39相对介电常数11.713.112.59.79.8击穿场强(mV/cm)0.30.40.52.23.3电子飘逸饱和速度(10^7cm/s)12122.5热导率(W/cm-K)1.50.50.74.52~3电子迁移率(cm^2/Ns)1350850054009001000功率密度(W/mm)0.20.51.8~101、禁...
刘志锋ACB:极性基团的结构调节实现高效压电光电催化性能
禁带宽度应足够小以保证吸收大范围波长的阳光,而导带与价带位置既要有利于水的氧化,又要有利于水的还原,从而降低光电流启动电位。BiVO4具有理想的带隙(2.4eV)以及适合电子传导的导带和价带位置。相比传统半导体TiO2,BiVO4具有较好的可见光吸收能力,使其更适用于电解水的应用。不幸的是,BiVO4在实际应用中存在电子迁...
钙钛矿电池行业研究:革新性潜力大,产业化进行时
与硅、砷化镓等拥有固定带隙的半导体材料不同,钙钛矿晶体成分本身具有多样性,因此其禁带宽度也并不固定,而是随ABX3结构中各元素类型和含量不同而变化,理论范围达1.15-3.06eV,并能实现连续可调。具体来看,通常A位阳离子半径越小,钙钛矿材料带隙越大,B位随用Sn代替Pb的含量增加,带隙将会减小,X位Br离子的掺杂则会...
有望成为“最佳半导体”的材料
金刚石虽然具有最高的RT热导率和优良的电子和空穴迁移率,但是5.4eV的禁带宽度使其难以通过常规方式进行有效掺杂(5)。最近,第一性原理计算(first-principlescalculations)预测立方砷化硼具有极高的常温热导率(约1400W/(m·K)),这个数字是Si的10倍。这一高值源于其不寻常的声子散射和化学键性质,它们同时促进...
专家约稿|碳化硅功率器件封装与可靠性测试
碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比,SiC器件的开关能耗要低十多倍[4],开关频率最高提高20倍[5,6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。
贺利氏电子张靖:电动化提速,功率半导体的材料工艺革命是关键一环
为此,需要新的材料来替代(www.e993.com)2024年10月20日。而以SiC为代表的第三代半导体材料具有宽禁带宽度,高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力,是高温、高频、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。张靖博士指出,正是由于SiC在能量利用上的出色表现,令其在新能源汽车上优势明显,“它可以让电动汽车在同样的里程需求下,...
后摩尔时代, 它有望成为最佳半导体材料
尽管石墨烯具有高电子和空穴迁移率以及高面内热导率,但其跨面热传导较低(3,4)。金刚石虽然具有最高的RT热导率和优良的电子和空穴迁移率,但是5.4eV的禁带宽度使其难以通过常规方式进行有效掺杂(5)。最近,第一性原理计算(first-principlescalculations)预测立方砷化硼具有极高的常温热导率(约1400W/(m·K...
第四代半导体材料氧化镓研究与展望
Ga2O3是一种直接带隙的半导体材料,禁带宽度约为4.9eV(不同晶体结构,不同取向等因素,禁带宽度会有所差别),由于其禁带宽度远大于SiC和GaN,所以被称为超宽禁带半导体材料。Ga2O3的击穿场强理论上可以达到8MV/cm,是GaN的2.5倍,是SiC的3倍多;另外,Ga2O3具有良好的化学和热稳定性,成本低,制备方法简便、便于批量生...
钙钛矿的冰与火:龙头市值腰斩,新贵热钱不断
但相比之下,钙钛矿单层电池理论效率极限可达31%,晶硅/钙钛矿双节叠层效率可达35%,三节层电池理论极限则可跃升至45%,且如果在钙钛矿中掺杂新型材料,其转换效率最高可达50%。钙钛矿转换效率更高的原因是作为吸收层的钙钛矿禁带宽度为1.5eV左右,吸收波长范围更窄,但吸收系数很大。
电动压缩机设计-SiC模块篇
禁带宽度(eV)3.261.12临界击穿电场(mv/cm)30.3热导率(W/cm*K)4.91.5饱和电子漂移速度(10^7cm/s)2.51理论最高耐受结温(℃)6001751.SiCMOSEFT材料的优势●10倍于si器件电介质击穿场强:更小的晶圆厚度和Rsp,更小的热阻●3倍以上的热导率:更小的热阻和...