使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法
2022年9月8日 - 网易
然后,将晶片浸入0.08米氯化铜加0.08米氯化镍溶液中,室温下的酸碱度为9,持续10分钟,进行深度污染,然后用超纯水冲洗10分钟。然后,使用APM29wt%氢氧化铵:30wt%过氧化氢:水=1:1:5,HPM36wt%盐酸:30wt%过氧化氢:水=1:1:5,或0.05M,即0.14wt%氢氰酸水溶液清洗碳化硅晶圆。需要注意的是,氢氰酸的浓度远低于APM和...
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然后,将晶片浸入0.08米氯化铜加0.08米氯化镍溶液中,室温下的酸碱度为9,持续10分钟,进行深度污染,然后用超纯水冲洗10分钟。然后,使用APM29wt%氢氧化铵:30wt%过氧化氢:水=1:1:5,HPM36wt%盐酸:30wt%过氧化氢:水=1:1:5,或0.05M,即0.14wt%氢氰酸水溶液清洗碳化硅晶圆。需要注意的是,氢氰酸的浓度远低于APM和...