如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器?

更高频率、更高功率LT8390A的开关频率高达2MHz。GaNFET的开关损耗显著低于SiMOSFET,开关频率和电压更高时,其功率损耗与后者相近。EVAL-LT8390A-AZGaNFET板将开关频率设置为2MHz,以突出GaNFET在效率和尺寸方面的优势。在室温、24V输出下,GaNFET可产生120W功率。该板尺寸与之前的LT8390A评估板DC2598...

开关模式电源问题分析及其纠正措施:晶体管时序和自举电容问题

如果忽略这些要求(例如为了获得更快的开关速度),就会出现输出不稳定和开关频率错乱等问题。此外,自举电容对于维持这些晶体管的运行至关重要。若没有自举电容,晶体管就不会有足够的驱动强度,导致无法完全导通。什么是自举电容?自举电容负责维持顶部N沟道MOSFET正常运行。图1的橙色高亮部分显示了这一点。图1LT8610...

详解开关电源 8 大损耗

开关频率为1MHz,开关转换时间是38ns。与MOSFET相同,二极管也存在开关损耗。这个损耗很大程度上取决于二极管的反向恢复时间(tRR),二极管开关损耗发生在二极管从正向导通到反向截止的转换过程。当反向电压加在二级管两端时,正向导通电流在二极管上产生的累积电荷需要释放,产生反向电流尖峰(IRR(PEAK)),极性与正向导通电流...

半导体SL27511和SL27517区别分析。

低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。萨科微slkor这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动,在这种场合中同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。SL27511是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙...

开关电源项目商业计划-行业发展现状分析及发展趋势预测

20世纪60年代,开关电源技术基本成型。第一代民用标准化开关电源诞生于20世纪70年代,并于80年代中期出现了符合全球通用规格的开关电源。在这个阶段,行业开始进入有序发展,第一代民用标准化开关电源诞生,采用PWM技术的MOSFET开关整流器,开关频率均在50kHz左右。

【招银研究|行业深度】新能源电子之功率半导体篇——新能源时代...

MOSFET开关频率高,更适合于高频中低压场景,根据Omdia的数据,汽车、计算存储、消费电子、工业应用占比分别为28%、20%、15%、16%(www.e993.com)2024年11月9日。超级结MOSFET高压特性好,在逆变器、储能、UPS等领域有望替换IGBT。在封装类型方面,MOSEFT主要以分立器件方式为主,根据Yole的数据,MOSFET分立器件占比95.8%,MOSFET模块占比4.2%。

【招银研究|行业深度】新能源电子之功率半导体篇——新能源时代...

当前主流的功率半导体是MOSFET和IGBT。MOSFET器件开关频率高,在高耐压下导通电阻会很高,更适用于高频中高压领域(100-1000KHz,20-1200V);IGBT器件耐压很高,作为MOSFET+BJT结构的复合型器件,相比MOSFET具有串联结构耐压更高、导通电阻低、能放大电流的优势,更适用于高压中低频领域(<100KHz,600-6500V)。

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数),fSW为开关频率,IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。一旦基于成本因素将选择范围缩小到了特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差别很大),我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散...

英飞凌OptiMOS 7 40V 车规MOSFET ,助力汽车控制器应用

可以看出,相较于前几代沟槽技术具有相同/接近的RDSON产品,OptiMOS??7产品具有最小的门极充电电荷,减少门极充电消耗;同时提高了开关速度,减少开关损耗,缩短死区时间,可以以更高的开关频率工作,从而进一步提高了系统功率变换效率及功率密度。因此该系列产品非常适合于高频开关应用场合的功率变换器和电机驱动。

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项,您知道吗?

(a)开关中的EMI源(b)di/dt和dv/dt通过RG(EXT)图11.EMI考虑因素结论本应用笔记介绍了安森美1200VM3S碳化硅MOSFET与第一代SC1相比的主要特性，可以看出M3S取得了显著的改进，如表3所示。图12显示了系统的实际性能，在40kHz开关频率下测量的5kW升压变换器的效率。结果明确显示M3S比SC1表现更好，特别是在...