吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...
SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用
作为新能源汽车电驱动系统的关键部件,SiCMOSFET模块凭借其出色的性能优势,正逐步替代传统的硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管),成为市场的新宠。SiCMOSFET具有更高的耐压性、更低的导通电阻和导通损耗、更高的开关频率以及更宽的工作温度范围,这些特性使得其在新能源汽车的电机驱动、电池管理以及DC/DC变换器等场景中表...
集成MOS沟道二极管的新型垂直GaN场效应晶体管反导特性和单事件...
由于p基对2DEG通道的损耗效应随着tch从0.2μm增加到0.5μm而减弱,一方面Vth从1.98V稳步降低到1.31V;另一方面,由于p基与2DEG通道之间的泄漏电流增加,BV从1676V降低到715V。如图6(b)-6(d)所示,在VDS=715V时,tch=0.5μm处的漏电流远大于tch=0.4μm处的漏电流,这是由于p基未能掐...
基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...
小巧体积,大幅提效,八款Qi2 DrMOS全桥功率器件,重塑充电体验
PN7727内部集成了一个驱动及四颗高效功率级场效应管,内置自举高压PMOS和5V/50mALDO,具备自适应死区功能,可以根据无线充电场景的不同灵活调整功率传输,提供更好的充电体验,使无线充电系统更加的智能高效,节约能源的同时具备更高的充电效率。展会预告无锡芯朋微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024(春季)亚洲充电...
NMOS和PMOS详解
使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计(www.e993.com)2024年9月9日。NMOSPMOSCMOSCMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,先介绍MOS管,然后...
一文搞懂IGBT
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...
不同的电平信号的MCU如何通信?
MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S~150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。
提前布局磁吸无线充电市场,十二大厂商推出18款Qi2无线充电芯片
PN7727内部集成了一个驱动及四颗高效功率级场效应管,内置自举高压PMOS和5V/50mALDO,具备自适应死区功能,可以根据无线充电场景的不同灵活调整功率传输,提供更好的充电体验,使无线充电系统更加的智能高效,节约能源的同时具备更高的充电效率。CPS易冲易冲CPS8200...
irfb4227场效应管替代料200v mos管SVT20240NT参数
irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V■开关速度快■低栅极电荷■低反向传输电容■提升了dv/dt能力200v低压mos管SVT20240NT采用士兰微LVMOS工艺,具有优越的开关性能、很高的雪崩击穿耐量及较低的导通电阻,SVT20240NT极性、封装、导通电阻及耐压和IRFB4227...