HDDL-VB智能电缆识别仪的使用操作方法
按输出功率减小键或输出功率增大键调节输出水平(信号大小),共分10档,屏幕右下角显示输出电压和电流。应根据需要调节输出水平:较大的电流有助于稳定探测及准确测深。降低输出功率有助于延长电池供电时间,但不应过多考虑二、卡钳耦合法卡钳耦合法适用于管线外露,但无法(或不允许)接触其金属部分,而且管线两...
路灯白天灭,晚上自动亮,竟然是因为小小的光敏电阻
最大功耗表示光敏电阻所能耗散的最大功率。8、回应时间光敏电阻的阻值在不同光照强度下的阻值变化需要反应时间,通常都在30mS左右,所以光敏电阻不适合高速变化的光信号。光敏电阻的优缺点光敏电阻有很多优点:1、其光谱响应范围相当宽;2、工作电流大,可达数毫安;3、所测光强范围宽,既可测强光,也可测弱光...
0欧姆电阻在电路中的作用
当然是有区别的,从我上面所讲述的作用来看,就可以知道,0欧姆电阻的功能十分丰富,其次在有些情况下,0欧姆电阻和导线的作用是一样的,例如跨线的时候,不用导线是因为在实际生产过程,贴片用的是贴片机,可以识别0欧姆电阻,对导线却是很难识别,所以为了生产的效率和方便,会选择用0欧姆电阻。0欧姆电阻精度大小有区别...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓...
目前,GaN功率器件的电压等级并非受限于击穿电压,而是被局限于高压工作后的动态电阻退化。动态电阻退化源于器件表面的深能级陷阱响应速度极为缓慢,一旦填充电子需要很长时间才能恢复,这些表面负电荷排斥沟道中的电子引起动态电阻退化。同时,GaN功率器件又依赖于表面深能级陷阱态,为导电沟道提供载流子。因此,动态电阻退化...
快充功率器件选型难?不如看看这篇氮矽历年拆解案例
氮矽科技DX65F130是一颗650V耐压的增强型氮化镓开关管,最大导通电阻130mΩ,采用DFN8*8封装。器件具有简化的栅极驱动要求,支持10MHz以上的开关频率,具备快速且可控制的上升和下降时间,无反向恢复损耗。适用于快充充电器,PFC功率因数校正,LLC转换和无线功率传输。
斯达半导取得功率模块专利,增强功率半导体模块的使用寿命
专利摘要显示,本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种具有银浆烧结层的功率模块,包括,基板;金属化陶瓷衬底,设于基板上,金属化陶瓷衬底和基板之间设有锡锑焊片;银浆层,设于金属化陶瓷衬底上;半导体芯片和电阻,设于银浆层上;连接端子,设于金属化陶瓷衬底上,连接端子、半导体芯片和电阻之间通过键合线电连接(www.e993.com)2024年10月18日。本实...
功率半导体测试,这个值得一看
图4:DUT的阈值电压与Rds(on)电阻之间的相关性。为不断加深对SiC功率半导体现象的理解,应继续进一步发展DGS测试和所有其他动态测试过程。特别是对于长期分析的建模,应收集尽可能多的数据,以便开发可靠的功率半导体来应对未来的挑战。关注“恩艾NI知道”
运算放大器功耗怎么计算?电路原理分析+设计实例
RLoad是运算放大器的总负载电阻需要注意的是,总功率与IQ相关,与RLoad成反比。各类数值计算二、选择具有正确IQ的组件由于上图中的等式5和等式6中有很多的变量,因此在选择材料时,最好只关注其中一个变量。降低总功耗最明显的技术是选择低IQ的放大器,当然也有一些缺点。例如,IQ较低的设...
电缆直径、载流量该怎么计算?(附超全对照表)
20℃时:17.5÷截面积(平方毫米)=每千米电阻值(Ω)75℃时:21.7÷截面积(平方毫米)=每千米电阻值(Ω)其压降计算公式(按欧姆定律):V=R×A线损是与其使用的压降、电流有关。其线损计算公式:P=V×AP-线损功率(瓦特)V-压降值(伏特)A-线电流(安培)...
【江苏省苏州市】2024年数据缆产品质量市级监督抽查情况公告(第26...
抽查的主要检验项目为:1.导体直径;2.绝缘抗张强度和断裂伸长率;3.护套抗张强度和断裂伸长率;4.老化后护套抗张强度和断裂伸长率;5.单根电缆火焰垂直蔓延试验;6.单根导体直流电阻;7.直流电阻不平衡;8.工作电容;9.相时延;10.时延差;11.衰减;12.近端串音;13.衰减远端串音比和衰减远端串音比功率和;14.特性...