旺诠科技取得一种低阻值高功率的电阻专利

金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,旺诠科技(昆山)有限公司取得一项名为“一种低阻值高功率的电阻”的专利,授权公告号CN113345670B,申请日期为2021年6月。本文源自金融界

英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆: 20μm 厚,基板电阻降低 50%

这种晶圆直径为30mm,厚度为20μm、仅有头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。IT之家获悉,与基于传统硅晶圆的解决方案相比,晶圆厚度减半可将基板电阻降低50%,从而使功率系统中的功率损耗减少15%以上。据官方介绍,对于高端AI服务器应用来说,电流增大会推动能源需求上升,因此,将...

电阻电容的降额设计要求

如果电阻器工作温度高于70℃,则需要按照公式计算。02脉冲功率脉冲功率按照单脉冲、多脉冲来划分。不同系列电阻的单脉冲峰值功率曲线不同,而不同厂家的多脉冲评估方法可能存在差异,具体应用时需要查阅厂家资料。峰值脉冲功率Pm在不同脉宽下的值不同,一般来说Pm会以图表的形式呈现在电阻的datasheet中,如下图所示:...

热敏电阻助力新能源汽车与储能应用发展

PRG系列可在异常情况得到解决后,可用作自恢复保险丝之用,其紧凑的设计可节省PCB上的安装空间,安装在PCB上并通电后具有特性稳定,由于高功率容量,可用作小型限流电阻,其并符合UL:E137188VDE、TUV等安全标准。结语热敏电阻在新能源汽车与储能应用中扮演着不可或缺的角色,它们不仅为电池管理系统提供了关键的温度监测...

远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

可以看到的是,随着测试电压的升高,器件动态导通电阻仅有非常小的抬升,600V与300V下的测试结果相比,仅上升6.4%,非常好的克服了氮化镓器件在高压条件下的电流崩塌现象。结论基于测试结果,可以看到远山半导体这次提供的氮化镓功率器件在高电压大电流条件下的良好表现,打破了传统氮化镓器件额定电压650V的限制,在双脉冲测试...

英集芯入局功率器件市场!

导通电阻在栅源电压(VGS)为10V且漏极电流(ID)为20A时仅为3.1mΩ,而当VGS降低到4.5V时,导通电阻稍微增加到4mΩ(www.e993.com)2024年11月3日。低导通电阻可有效减少在高电流应用中的功耗并提高整体效率,该MOS管采用PDFN3030封装,适用于便携式设备和电池供电产品中对高效率和低功耗要求较高的电源管理电路之中。

拆了几十款大功率车充,看看有哪些升降压芯片

这款车充内置显示屏,可显示当前电瓶电压,USB-C口输出电压和输出功率、USB-A口输出电压和输出功率。车充内置升降压电路,支持12和24V电压范围,均可提供140W输出功率。内置升降压芯片MERCHIP水芯电子M12349同步升降压控制器来自MERCHIP水芯电子,型号M12349,是一颗支持PD3.1协议的C+A独立双口充升降压SOC,芯片内部...

车充想实现高效输出?不如先来看看45W功率段采用的降压芯片

SOUTHCHIP南芯科技SC8112芯片,双输出6A同步整流降压转换器,内置开关管,带直通模式,输出电压可由分压电阻设置,支持高精度输出电流限制,总输出功率可由电阻设置,便于恒功率输出;支持线损补偿,可编程的频率设置和工作模式选择。相关阅读:1、拆解报告:UGREEN绿联32W双USB-A口车充CD200绿联40W双C口快充车充绿联这款...

IP-RCD 非线性整流负载的卓越性能与创新突破

(二)高性能的功率器件应用在IP-RCD的设计中,选用了高性能的功率器件,如碳化硅(SiC)MOSFET和氮化镓(GaN)HEMT等。这些新型功率器件具有开关速度快、导通电阻低、耐压能力强等优点,能够显著提高IP-RCD的工作频率和效率,降低能量损耗和散热要求。与传统的硅基功率器件相比,SiC和GaN功率器件的应用使得IP-...

变频器的选型与接线

一般功率稍微大一点的变频器,都带有冷却风扇。建议在控制柜上出风口安装冷却风扇。进风口要加滤网以防止灰尘进入控制柜。注意控制柜和变频器上的风扇都是要的,不能谁替代谁。有些盘厂习惯了配电盘不用安装冷却风扇,要更新观念。海拔高度对变频器选型的影响:...