Vishay的采用延展型SO-6封装的新款IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑...

日前,威世科技VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。VishayVOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3A和4A,工作温度高达+125°C,传播延迟低至200ns。本文引用地址:今天发布的光耦合器包含一个AlGaAsLED(该LED通...

高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型,一文告诉您

它专为实现极快的开关速度而设计,用于驱动功率MOSFET开关。NCP/NCV51252提供短且匹配的传播延迟。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达~1,200VDC的工作电压。此外,它还提供了其他重要的保护功能,如每个驱动器的欠压锁定(UVLO)和使能功能。NCP/NCV51752是隔离型单通道栅极驱动器,具有高达4.5-A/...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

中商产业研究院的数据显示，在功率半导体分立器件里，像MOSFET和IGBT这样的晶体管占的比例是最大的，大概有28.8%。从现在的市场需求来讲，硅基MOSFET、硅基IGBT还有碳化硅是功率半导体分立器件的主要产品。这篇文章呢，也会重点对硅基MOSFET、IGBT和碳化硅等功率分立器件（包含模块）进行分析和研究。MOSFET有输入阻抗高...

Littelfuse推出高频应用的IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极...

在最终供电电压不足的情况下,栅极驱动器输出被置位为低电平,从而关闭外部功率器件。IX4341和IX4342双5A低压侧栅极驱动器适用于各种市场,包括:·一般工业和电气设备·家用电器·楼宇解决方案·数据中心·储能和可再生能源这些低压侧MOSFET栅极驱动器非常适合各种工业应用,例如:·开关式电源·DC-...

Littelfuse推出高频应用的MOSFET栅极驱动器

IX434x驱动器的一个显著特点是与TTL和CMOS逻辑输入兼容,能够与大多数控制器直接连接。此外,每个输出具有独立的使能功能和欠压闭锁电路(UVLO),以确保可靠、安全的操作。在最终供电电压不足的情况下,栅极驱动器输出被置位为低电平,从而关闭外部功率器件。

电机驱动创新,如何解决机器人运动控制中的设计挑战?

在机器人驱动方案中,一种新兴的技术——氮化镓场效应晶体管(GaNFET)正在逐渐获得应用(www.e993.com)2024年11月10日。然而,由于GaNFET技术相对较新,且驱动电路相对复杂,还需要非常仔细地控制栅极节点激励,因此,大多数现代工业机器人驱动方案目前仍以Si-MOSFET为主。在方案的选择上,如果所涉及的功率较高,首选基于分立器件的定制化设计,其中可以使...

上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用

3.1手机充电器对功率MOSFET技术需求1手机充电器中，PFC和初级开关管有如下技术需求：高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿；低内阻：导通状态下产生的功率小，发热少；低开关损耗：使开关导致的损耗降低，发热减少；低热阻：正常工作时发热量小；低di/dt和dv/dt：开关状态下产生震荡以及杂波小，产生较小的电磁干扰...

...申请一种驱动电路及功率桥逆变电路专利,有效抑制功率 MOSFET...

发明提供了一种驱动电路及功率桥逆变电路,通过开通延时模块和关断钳位模块,使得在进行功率MOSFET开关切换时,保证了在需关断的功率MOSFET彻底关断并钳位之后,需开通的功率MOSFET才能开始开通,从而保证了一个功率MOSFET的开通不会对另一个功率MOSFET造成串扰影响,因此能有效抑制功率MOSFET米勒效应的影响,...

锴威特:“功率IC+功率器件”双轮驱动 稳步推进产品研发及迭代升级

在功率驱动IC领域，公司亦取得显著进展，成功推出了80V3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片，该芯片支持100%占空比工作，进一步增强了系统的安全性与可靠性。此外，公司还推出了180VGaN专用半桥驱动芯片，工作频率高达1MHz以上，展现了卓越的性能。未来，公司计划进一步拓展细分品类功率半导体芯片，推动功率IC与功率器件...

高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√

其中,Qg是外部MOSFET的栅极总电荷,fsw表示开关频率。在软开关拓扑中,Qg等于FET或的栅源电荷(Qgs)。因此,高、低边驱动器的总栅极驱动损耗是Pcharging的4倍。由于主要的功率损耗是栅极驱动损耗,因此计算驱动器损耗的最简单快捷的方法是将栅极驱动损耗(Pgate_drving)和VDD上的动态损耗相加。这些损耗在...