传承千年“农田灌排渠系”——电子真能像水一样被引流 | NSR

图3(a)低温下垂直磁场B=-12T,0T,12T下的电压输出曲线;(b)非均匀电流的霍尔效应;(c)强磁场下输出电压的双栅极调控图;(d)室温下垂直磁场B=-12T,0T,12T下的电压输出曲线;(e)石墨烯基晶体管载流子迁移率-开关比的对比图。石墨烯晶体管开关切换示意图据此方法,研究团队成功实现石墨烯...

新型功率半导体氧化镓为解决长年课题开辟道路

氧化铱的p型特性已通过霍尔效应测试得以确认。测试结果表明,空穴漂移迁移率为2.3cm2/Vs,载流子浓度为1.0×1021/cm3。已通过X射线衍射线形和衍射斑确认其具有刚玉型结构。相关技术详情已在2016年9月13～16日举行的“第77届应用物理学会秋季学术演讲会”上发表。(记者:根津祯)...

石墨烯 | 双层石墨烯中2π的非常规量子霍尔效应和Berry相

在双层器件中,载流子迁移率μ通常约为3,000cm2V??1s??1,低于单层石墨烯器件。这是令人惊讶的,因为人们通常预计在单层石墨烯的情况下会有更多的损坏和暴露,因为单层石墨烯从两侧都不受直接环境的保护。图2a显示了双层石墨烯在固定Vg(固定n)和高达30T的变化磁场B下的典型QHE行为。在高B中的Hall电阻率...

QD中国样机实验室引进M91快速霍尔测量仪,极低迁移率材料测量速度...

传统的直流场霍尔效应测量适用于具有较高迁移率的简单材料,但伴随着载流子迁移率的降低,测量难度增加,精度降低。在光伏、热电和有机物等前景广阔的新型半导体材料中,测量难度就增加了不少。交流锁相技术结合先进锁相放大器和更长测量窗口,可以提取更小的霍尔电压信号,目前常用于探索低迁移率材料。然而,延长测量间隔会...

锁相放大器用于霍尔效应测量

在材料表征应用中,材料放置在已知的磁场B之中。同时,测量霍尔电压VXY(图1)、通过样本的电压VXX和通过材料的电流IR。根据这些测量值,我们可以推断材料性质,例如载流子密度、载流子极性、载流子迁移率和材料的导电性。这项技术还可用于测量量子霍尔效应以及整数、分数、自旋、逆自旋等多种衍生效应,从而测量二维...

新发现阐明二维钙钛矿中高激子迁移率起源

二维Ruddlesden-Popper钙钛矿(RPP)中的激子输运性质对其光电性能起着主导性的作用,目前遇到的最大问题是载流子迁移率与三维钙钛矿相比,低约1-2个数量级(www.e993.com)2024年11月8日。由于有机-无机杂化晶格中的强限域效应和复杂的激子-声子相互作用,目前仍然缺乏激子传输特性的清晰光物理图像。并且,激子-激子湮灭、层间耦合和缺陷等因素也会影响二维...

键德高压探针台|探针台的应用场景

霍尔效应探针台:用于测量半导体材料的霍尔效应参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率和霍尔系数等。这种探针台在半导体材料研究和器件性能评估中具有重要的应用价值。综上所述,探针台的应用场景非常广泛,包括半导体器件研发、生产过程控制、故障分析等。随着半导体技术的不断发展和市场需求的增长,探针台也在不断进步和创新,...

国家最高科学技术奖揭晓,今年诞生了最年轻的获奖者

由于传统量子霍尔效应需要强磁场、极低温、高载流子迁移率样品才能出现,因此很难真正得到应用。而量子反常霍尔效应的好处在于不需要任何外加磁场,该项研究成果将推动新一代低能耗晶体管和电子元器件的发展,可能加速推进信息技术革命进程。实现这一神奇的量子现象,材料必须同时满足三项非常苛刻的条件:材料的能带结构必须具...

检测霍尔传感器,真懂的修理工不多

通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。由于霍尔元件产生的电势差很小,故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上,称之为霍尔传感器。霍尔传感器也称为霍尔集成电路,其外形较小,如下图所示:...

史无前例的精准测量!先进的低温探针台让数据不再漂移

该设备典型的应用包括在高低温下的I-V和C-V曲线测量、微波和光电响应测量、表征可变磁场中的磁输运特性,测量霍尔效应以了解载流子及迁移率,以及其他各种材料研究等。LakeShore低温探针台系列若您对设备有任何问题,欢迎扫码咨询!应用领域纳米电子学...