...&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为
对于未掺杂的钙钛矿样品,费米能级被确定为??4.13eV,接近导带最低点(CBM)??4.05eV,表明其具有n型特性。随着掺杂水平的增加到1%、3%和5%(x%表示掺杂分子与前驱体溶液中Pb2+离子的摩尔比),费米能级逐渐向带隙中的价带最高点(VBM;图1c)移动,这与钙钛矿从n型到p型导电性的过渡一致。当掺杂水平进一步增加到...
全球芯片关键技术研究最新进展
东京大学、三菱电机研究团队采用硼元素对SiCMOSFET进行氧化后退火,沟道迁移率(μFE)有望超过100cm2/V·s,而采用一氧化碳退火方式只有20-40cm2/V·s,大约可以提升2.5-5倍。通过改变硼浓度,SiCMOSFET的Dit(界面态密度)还有望降低约70%。经过研究人员测量发现,在不同硼浓度及不同温度条件下,对碳化硅器...
首推!Nature系列:2023年钙钛矿器件集锦
对此可再生能源国家实验室(NREL)朱凯团队基于PCE高达约25.5%倒置(p-i-n)PSCs的器件,(经认证稳定后的PCE达到了24.3%)进行室内和户外稳定性测试发现,器件在高温下运行时衰减较快(25°C到85°C),封装良好的器件在室外老化行为也随着季节的变化而变化,可以通过在光照和高温(例如85°C,ISOS-L-2)下的室内加速稳定...
物极则反:掺杂浓度调节导电聚合物p型到n型的转变
p型电导率和功率因子分别高达23.4μW/m-K2,n型电导率和功率因子高达0.66μW/m-K2(如图一所示)。扫描电子显微镜(SEM)显示,薄膜形貌会影响其电导率,进一步提高掺杂剂浓度导致DPPTTT电导率减小,是因为聚合物链产生聚集,并且聚集体间的间隙随着掺杂浓度的增大而进一步增大,阻碍载流子传输,从而电导率降低。图2此...
光伏电池片行业深度报告:N型电池片技术迭代拉开序幕_腾讯新闻
在此情境下,将两端外部用电极连接起来,形成一个回路,即可产生电流,这就是太阳电池发电的原理。2.3.分类:根据衬底硅片类型,分为P型电池片和N型电池片从衬底类型来看,可将电池片分为P型电池片和N型电池片两类。P型电池原材料为P型硅片(掺杂硼),N型电池原材料为N型硅片(掺杂磷)。P型电池主要包括...
N型电池迭代驱动新需求,帝尔激光:光伏激光设备龙头大有可为
总体来看,传统P型电池硅片基底掺硼,转换效率上限较低;新型N型电池硅片基底掺磷,无硼氧复合避免光致衰减损失(www.e993.com)2024年9月20日。P-PERC、N-HJT、N-TOPCon三种电池理论极限效率为24.5%,27.5%,28.7%,由于PERC电池迫近理论效率极限,N型电池具备转换效率高、温度系数低、光致衰减低、弱光响应好、双面率高、降本空间大等...
钙钛矿设备行业深度报告:光伏0~1的颠覆性技术
钙钛矿电池优异的光电性能得益于金属卤化物本身的优异物理特性,例如该类材料为直接带隙半导体,具有较高的光电吸收系数、载流子迁移率,较长的载流子扩散长度,带隙可调等。但是随着电池面积增大,钙钛矿电池相比其他光伏电池,能量转换效率下滑幅度更明显。大面积电池模组和小面积器件效率失配的主要原因有:(1)大面积...
逻辑芯片,未来15年的路线图
更多摩尔目标每2-3年为节点扩展带来PPAC价值:(P)performance:在标定电源电压下工作频率提高>10%(P)ower:在给定性能下,每次开关的能量减少>20%(A)rea:芯片面积减少>30%(C)ost:晶圆成本增加<30%–微缩裸片的裸片成本减少15%。</>>...
深度解析:TOPCon 电池技术|太阳能电池|硅片|介孔|费米|空穴_网易...
上图电池Ref(a)(b)是无氧化硅钝化的电池,其中电池b比电池a增加了背表面重掺杂的n+-poly-Si层,而TOPCon具有氧化硅双面钝化功能,使得Voc,Jsc,FF和Eff均为最高,分别达到729.8mV,39.98mA/cm2、0.86和24.98%。TOPCon电池与具有背场功能的Ref(b)电池相比,Jsc只增加了0.89mA/cm2,增幅为2.3%,而Voc增加...
半导体工艺之气相外延
硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术,因半导体其中所含的杂质有N型和P型,通过不同类型的组合,使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能,应用外延生长技术就能容易地实现。