光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质

2006年的时候,G.Agostinelli他们用原子层沉积(ALD)技术在p型单晶硅的表面沉积Al2O3薄膜,这就把表面复合速率降到了10cm/s。2010年,ThomasLauermann等人最先把Al2O3钝化用在125mm125mm的p型CA硅片上,背面用15nmALD-Al2O3和80nmPECVD-SiN叠层来钝化,效率达到18.6%,这样就推动了大尺寸PERC电池产业化的进程。

资料丨TiN薄膜沉积,创建薄膜,化学镀层金属薄膜

在本研究中,研究了使用热原子层沉积(ALD)方法沉积的TiN薄膜的沉积温度的影响。使用TiCl4前驱体和NH3反应气体,比较了400°C–600°C沉积温度范围内的沉积速率、电阻率变化和表面形貌特征。随着沉积温度的升高,电阻率降低至177??Ωcm到600°C时,表面粗糙度(Rq)增加至0.69nm,并...

微导纳米(688147) 以新质生产力赋能新能源发展 百兆瓦钙钛矿ALD...

MaximizeMarket????Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。同时,根据SEMI预测,2020年至2025年,全球半导体薄膜沉积设备中ALD设备的复合增长率预测为26.3%,预计高于整体半导体薄膜沉积设备市场的增长率。随着半导体工艺的不断...

PE投资丨半导体ALD工艺原理和发展前景

相比于ALD技术,PVD技术简单,沉积速率高,但一般只适用于平面的膜层制备;CVD技术的重复性和覆盖质量比前者PVD略好,但是影响工艺质量的因素较多,成膜的均匀性较差且难以精确控制薄膜厚度。相较于传统PVD及CVD工艺,ALD工艺沉积效率不高,但ALD的优势在于每个沉积周期中,只有一层物质被添加到薄膜中,因此ALD具有高度均匀精...

南开大学,最新Nature Electronics!|栅极|电容|晶体管|电介质|...

栅极磁滞约2.8mV(图3e),在不同扫描速率和范围下变化较小(图3f-i)。小滞后现象归因于边界缺陷密度的降低和无晶种层ALD工艺(图3d)。2nmAl2O3门控MoS2FET的关键因素包括低工作电压(~0.5V)、接近理想的SS值(~65mV/dec)和小栅极磁滞(~1.0mV),这表明一步层压方法形成的优异vdW界面。

行业观察|微导纳米2023年净利润增长849.89%,平台化战略赋能多元发展

CVD则以其高沉积速率和广泛的应用而著称(www.e993.com)2024年11月1日。微导纳米坚持以ALD为核心,CVD等多种真空薄膜技术梯次发展技术平台体系,凭借前瞻性战略布局,微导纳米开发的薄膜沉积技术及设备,目前已广泛运用于半导体、光伏及其他新兴应用领域,并取得亮眼表现。在半导体领域,公司产品涵盖逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域...

半导体专题:一文看懂薄膜生长

-劣势:对材料的要求严格,设备复杂,生长速率较慢。(4)ALD(原子层沉积):-原理:通过逐层引入不同的前体气体,实现原子层的沉积,提供极高的薄膜控制性。-优势:极高的薄膜均匀性和精确的厚度控制,适用于纳米尺度结构。-劣势:生长速率相对较慢,对反应器和前体气体的稳定性要求高。

2024年中国钙钛矿电池工艺流程分析 镀膜、涂布、激光刻蚀为关键...

从三种镀膜技术对比来看,PVD为目前较成熟的镀膜技术,具有沉积速率快、成本较低的优势,但该技术制备的薄膜均匀性相对较差;采用RPD制备电子传输层可以减少制作过程中对下方钙钛矿层的影响,但设备成本高于PVD;ALD工艺的优势则在于大面积成膜的均匀性,且致密、无针孔。

招商证券:工艺升级提升需求 薄膜沉积设备国产替代有望加速

根据Acumenresearchandcondulting预测，2020-2026年全球ALD设备市场将从约20亿美元提升至32亿美元。但由于ALD沉积过程不连续，在沉积速率等方面不如其他CVD工艺，因此目前仅用于一些新的增量环节，在成熟工艺环节暂时无法替代如LPCVD、PECVD等工艺。薄膜沉积设备市场主要被海外大厂垄断，市场集中度较高。薄膜设备壁垒较高...

微导纳米即将登陆科创板:ALD技术不断突破,深耕薄膜沉积设备应用领域

从国产光伏设备在国际竞争中处于优势地位的客观情况来看,公司光伏薄膜沉积设备的技术水平在国际竞争中亦能处于较高水平。其中,公司ALD设备镀膜速率陆续突破10,000片/小时、15,000片/小时乃至20,000片/小时,新型高产能机型已进入量产阶段,打破制约ALD技术应用于光伏领域的产能限制,成为行业主流镀膜方案之一。