经典回顾|赛迪科创“独角兽”观察:中国领先的3D NAND闪存设计制造...

2017年,长江存储成功试产了32层3DNAND闪存芯片,成为中国首家掌握3DNAND闪存技术并实现量产的企业。2018年,长江存储64层3DNAND闪存芯片量产,并开始向全球客户供货。2019年,长江存储128层3DNAND闪存芯片研发成功,并于2020年9月实现量产。2022年,长江存储成功试产232层3DNAND闪存芯片,计划于2024年实现量产。长江...

替代成功!长江存储用国产设备成功制造3D NAND芯片

长江存储一直致力于NAND闪存芯片设计与制造，其自研的Xtacking架构成功让长江存储迈入国际领先的NAND闪存芯片制造行列。尤其是Xtacking3.0和Xtacking4.0架构的推出，可让3DNAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名NAND闪存制造商相比，也具有极强的竞争优势。美国禁售芯片制造设备，在过去两年中，给...

长江存储研发成功“超牛”闪存芯片

4月13日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商的终端存储产品上通过验证。同时,该公司发布了两款128层3DNAND芯片产品,分别为容量1.33Tb的128层QLC3DNAND闪存和512Gb的128层TLC3DNAND闪存(型号:X2-9060)。长江存储X2-6...

国产替代加速,长江存储成功用国产设备造出3D NAND芯片

长江存储作为中国第一家存储器晶圆厂，是3D-NAND存储芯片国内龙头，在中国半导体行业举足轻重，其自研的Xtacking架构成功让长江存储迈入国际领先的NAND闪存芯片制造行列。尤其是Xtacking3.0和Xtacking4.0架构的推出，可让3DNAND的层数堆叠到232层，使得其能够与美光、三星和SK海力士等全球领导者进行竞争。回顾长江...

长江存储再度“亮剑”:起诉美光侵犯其11项美国专利!

据悉,2018年长江存储量产了第一代32层3DNAND闪存芯片,这款由团队历时2年研发成功的首款32层三维NAND闪存芯片,实现了零的突破。该芯片广泛应用在工控领域。2020年长江存储开发了两款128层闪存产品。但2022年10月,美国政府发布出口管制条例,限制芯片制造设备向中国出口,同时在12月,美国将长江存储列入出口管制实...

美光、晋华握手言和,“存储芯片战”剧终

公开资料显示,长江存储的存储器在中国处于领先水平,2022年就有消息指出长江存储的128层NANDFlash存储芯片已通过了苹果验证,将成为iPhone的Flash供应商,相关产品也已经供给国产手机品牌商(www.e993.com)2024年11月22日。业界人士估计,长江存储产品虽然与韩国、美国企业在技术节点上存在代差,但成本比美光、三星等低20%左右,苹果、戴尔这些客户,如果控...

长江存储QLC闪存封神

自2013年3DNAND闪存开始商业化生产以来，存储密度以每年1.41倍左右的速度持续提升。从国际会议ISSCC上展示的原型硅芯片来看，2014年存储密度为每平方毫米0.93Gbit，但2024年将达到每平方毫米28.5Gbit。简单对比一下，10年间存储密度增加了30.6倍。迄今为止，3DNAND闪存的存储密度主要通过采用四种...

重磅!消息称长江存储第四代3D NAND将由128层直接迈进192层

媒体报道称,长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右,仍有提高的空间。目前,长江存储128层3DNAND的传输速率能够达到1.6GT/s,业内人士预估,下一代192层产品的传输性能将大于2GT/s。中国闪存市场ChinaFlashMarket整理下一代闪存技术的较量已经拉开帷幕,长江存储有望获得优势...

长江存储宣布研发成功我国首款128层3D NAND闪存芯片

中证网讯(记者吴科任)4月13日上午,紫光集团旗下长江存储宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。它是全球首款128层QLC规格的3DNAND闪存芯片,也是我国首款128层3DNAND闪存芯片。

长江存储被制裁一年后,三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层

2022年5月,存储芯片大厂美光(Micron)发布了业界首个232层堆栈的3DNAND芯片。随后在2022年7月26日,美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存,也是业界密度最高的,达到了14.6Gb/mm2,单个die的原始容量为1Tb(128GB),接口速度提升到2.4GB/s,写入速度提升了100%,读取带宽提升...