【复材资讯】陶瓷基复合材料构件内嵌孔加工工艺研究进展

Bertsche等[43]对旋转超声槽加工(Rotaryultrasonicslotmachining,RUSM)CMCs进行了试验研究,通过分析材料去除率(Materialremovalrate,MRR)对加工力、刀具磨损和表面粗糙度的影响,对比分析了RUSM和传统金刚石磨削。结果表明,与传统加工工艺相比,RUSM显著降低了加工切削力和刀具磨损。此外,还确定了金刚石刀具特性对表...

8英寸衬底的超精密加工:现状与展望

材料去除率(MRR):SiC的硬度和脆性导致其去除率较低,这会影响加工效率和成本。加工损伤:在加工过程中容易产生微裂纹、位错和其他形式的损伤,这些损伤可能会影响器件的性能。化学机械抛光(CMP)的挑战:CMP是实现高平整度和低表面粗糙度的关键步骤,但对于大尺寸SiC衬底,CMP过程中的均匀性和可重复性难以保证。热管理...

「毅」新闻 | 晶圆抛光材料国产替代势不可当,毅达资本完成芯秦微A...

化学机械抛光(CMP)是当今最主流的晶圆抛光技术,能够降低晶圆表面的粗糙度,去除晶圆表面多余物,使晶圆有效地进行下一道加工程序。其中,化学机械抛光液决定了晶圆的抛光质量和抛光效率。在抛光过程中,晶圆厂会根据每一步晶圆芯片平坦度的加工要求,选择符合去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)等指标要求的抛光液,来提高抛光效率...

综述|金刚石能量束抛光技术|材料|pcd|离子束_网易订阅

在没有紫外激光照射的情况下,SCD的表面粗糙度Ra只能达到0.63nm,MRR仅为0.3μm·h-1。未来展望(1)目前,激光直接抛光金刚石得到的表面质量非常有限。因此,通过选择合理的激光类型或调整激光参数和加工参数,提高激光抛光金刚石的表面质量至关重要。(2)离子束直接抛光金刚石的材料去除率较低,离子束的机...

SiC抛光又有新技术,效率可提升10倍

●高材料去除率:该技术实现了约15??m/h的材料去除率(MRR),是传统CMP的10倍。●表面质量高:通过ECMP处理的碳化硅衬底表面光滑,粗糙度可降至亚纳米级别。采用ECMP进行的材料去除工艺示意图获取该文献,请加许若冰hangjiashuo999,详情请往下看:技术原理...

重庆大学黄云教授团队:率及磨料磨损的钛合金砂带磨削能量评价|...

材料去除率随磨削速度的增加而增加,平均材料去除率随砂带磨损而降低(www.e993.com)2024年11月5日。新砂带的表面轮廓呈现出不均匀的形态,最高峰谷高度(PV)值为0.109mm,中等磨损砂带,峰值和谷值的高度变得更加均匀,PV为0.082mm。严重磨损的砂带的MRR和磨削比严重下降,磨损平面显著增多,导致砂粒无法切割材料。新砂带、中等磨损砂带和严重磨损砂带...

半导体材料行业专题报告:CMP抛光材料国产替代势不可挡

在半导体芯片制造抛光过程中,晶圆厂会根据每一步晶圆芯片平坦度的加工要求,选择符合去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)等指标要求的CMP抛光液,使抛光工艺中的化学反应作用和机械反应作用相互促进,来提高抛光效率和产品良率。为达到上述目的,CMP抛光液供需双方,需相互紧密配合,投入大量研发成本不断试错,去调试符合晶...

专家约稿|微电子大马士革工艺的发展现状

2017年,Merhej等人研究了大马士革工艺中金属与介电材料CMP过程的重要参数:材料去除率(MRR),表示一种材料在CMP过程中去除的速率,单位nm/min。如图3-7,该工作在SiO2介电层中嵌入了Au互连线,最小线宽70nm,深度50nm,整个流程与传统的光刻工艺相同,构造了一层单大马士革结构。要想得到第8步Au-SiO2共存的光滑平面,...

采用伊斯卡刀具为钛合金铣削加工带来竞争优势

事实上看似简单的新型玉米铣刀具有精心设计的结构,可以显著提高加工过程中的动态刚性和抗振动强度;此外,刀片的径向夹紧使得排屑槽容屑体积可设计得更大,满足在高金属去除率(MRR)下铣削时的切屑流自如排出的要求;再有,铣刀内部具有专为高压冷却(HPC)而设计的通道。以上种种精心设计,使得看上去“简单”的方形刀片也...

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展

抛光后在2μm×2μm的区域内,Si面的面型精度(rootmeansquare,RMS)达到0.096nm,材料去除率(materialremoverate,MRR)为153nm/h;而C面的RMS为1.66nm,MRR仅为6nm/h。为了研究抛光液酸碱性对抛光效果的影响,AIDA等对SiC进行了传统CMP试验,研究发现:在传统CMP中,最大影响因素为抛光液的pH,碱性抛光...