半导体可控掺杂:浙大实现116万尼特超亮钙钛矿LED登《自然》

“掺杂”是半导体领域的基础概念。半导体材料之所以如此广泛应用于电子技术,关键在于它们可以通过掺杂实现p型和n型两种不同的导电特性。对于传统半导体而言,通过“掺杂”,即在晶格中引入杂质,可以实现对其电学性质的有效控制。例如,在硅中掺入硼,可以使其成为主要传导正电荷(空穴)的p型半导体,而掺入磷则可以使其成为...

过渡金属二硫属化物TMD可能成为下一代半导体的有希望的候选者

哈立德解释说:“根据缺陷的类型和性质,材料的特性会发生变化。例如,它可以产生额外的电子,使其成为n型,或者可以产生更多的空穴,使其成为p型。”这一发现提出了一种在原子水平上制造n型和p型材料的新方法。在传统的硅半导体技术中,n型和p型特性是通过掺杂有意创造的,在该过程中有意添加少量杂质以...

中国科大在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展

研究通过不同深度的X射线光电子能谱(XPS)表征证实了锡基钙钛矿半导体薄膜中锗离子的梯度掺杂(图b),通过第一性原理计算的缺陷形成能和掺杂类型结果揭示了构建同质结的内在机制(图c)。经过进一步器件工艺优化,同质结光伏器件的暗电流降低了两个数量级,缺陷密度降低了一个数量级,功率转换效率从11.2%提升至13.2%(图d)...

揭秘半导体行业:分析技术如何重塑未来?

半导体行业中所使用的试剂一般是“电子级试剂”、“超净高纯化学试剂”等,也就是湿电子化学品,其主体成分纯度大于99.99%,杂质离子和微粒数符合严格要求的化学试剂,其中杂质离子的含量控制在ppb甚至ppt级别,因此测试痕量物质的仪器选择很重要。目前半导体相关测试主要有以下几种方法:电感耦合等离子发射光谱(ICP-OES/AES...

一篇文章看懂“半导体”产业链!

但是科技型公司有一个共性，那就是高弹性高风险。这类公司在我的交易系统里，属于“纯成长”类公司，如果选择这类公司，需要有比较强的风险承受能力。成长型公司的特点就是资本投入比较大，所以很难有比较好的分红，只能靠市值增长获利，就会有很大的不确定性。趁着这阵子和朋友们讨论半导体比较多，所以接下来讲一...

科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题

碳纳米管掺杂的好与坏，会直接影响器件性能和可靠性(www.e993.com)2024年11月29日。此前，在纳米管半导体材料的掺杂上，主要存在以下几个挑战：其一，局部掺杂技术的可行性：实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂，可以实现电学性质的调整，期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时，确保这些过程...

【复材资讯】Nature:世界首个功能性石墨烯半导体!

当硅从碳化硅晶体表面蒸发时,富碳表面会结晶产生石墨烯多层膜。在碳化硅的硅末端面上形成的第一个石墨层是一种绝缘外石墨层,部分共价结合到碳化硅表面。对这个缓冲层的光谱测量显示了半导体的特征,但由于杂质的存在,这一层的迁移率受到了限制。研究人员展示了一种准平衡退火方法,可以在宏观原子平阶上产生SEG(即一...

P型半导体与N型半导体的定义及区别

载流子类型:-P型半导体的主要载流子是空穴,表现为正电荷。-N型半导体的主要载流子是自由电子,表现为负电荷。掺杂元素:-P型半导体通常使用三价元素(如硼或铝)进行掺杂。-N型半导体则使用五价元素(如磷或砷)进行掺杂。导电性质:-在P型半导体中,空穴的移动导致了电流的形成,其移动方向是从正极向负...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

由于半导体(集成电路)制造的过程十分复杂,涉及的金属材料品种包罗万象,本节中我们以SEMI对半导体材料的分类为脉络,逐个分析涉及金属的半导体材料,主要包括衬底及外延、掩膜版、电子特气、靶材、其他材料(高K材料及电镀液)、键合丝、引线框架、焊料,下文将分别对这些半导体材料涉及的金属做进一步阐述。1.1...

二极管(1)定义和原理

杂质半导体的掺杂通过掺杂,半导体材料的导电性能可以大幅提升。掺杂分为两种主要类型:N型半导体(负性半导体):掺入5价杂质元素:如磷(P)、砷(As)。这些杂质原子与硅原子形成共价键,多余的电子成为自由电子,从而增加了导电性。多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。