寻找GaN的替代品

Lenahan表示,氮化镓由50%的镓和50%的氮组成,具有宽带隙半导体的优势,这意味着它比硅等低带隙半导体能承受更高的电场,并能承受更高的电压和温度。氮化硼具有与氮化镓相当的物理特性,但对其了解甚少,在某些关键应用中可能具有类似的性能。“硼的进口限制与镓不同,因此它可以成为多种应用的长期替代品,”莱...

中国芯片代工的另一面

以砷化镓为例,作为一种典型的,拥有高频、抗辐射和耐高温特性的化合物半导体,它在过去多年里一直是射频PA和Switch的主流材料,市场规模也接近百亿美元。而在进入了5G时代,拥有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优势的氮化镓就成为射频器件材料追逐的目标,这就带动了包...

国际首次!多校联合研制氮化镓量子光源,高集成光量子芯片成为可能

而氮化镓材料因其优异的物理性质已经被广泛用于各种光学元件,更容易与现有的硅基工艺集成。这种兼容性使得氮化镓量子光源可以与硅芯片上的其他电子和光电组件(如传感器、处理器等)整合,更适合在单一芯片上构建复杂的量子电路。这有助于降低生产成本,从而加速光量子技术的商业化进程。此次为了制造氮化镓量子光源,研究团队...

【免费参会】12月5-7日,半导体人齐聚上海!第三代半导体PK第四代...

而同作为第三代半导体的氮化镓(GaN)因其禁带宽度达到3.4eV,更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力,使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域有望超过碳化硅实现更优性能。美国军方甚至依靠氮化镓的特性来有效传输开发中的最先进雷达的功率。氮化镓还被用于RTX...

【山东科协每日科普】未来光电要靠它?这个“超级二极管”有点厉害!

凭借独特的物理化学性质,氮化镓在照明、显示、通信、电力电子等领域大放异彩,被誉为第三代半导体的“明星”。而这次,科研人员基于氮化镓LED,做了一个看似小小的改动:在PN结的p型区域上方,添加了一个可独立控制的第三电极。就是这个精巧的设计,让二极管有了更多想象空间。

新研究!中国科学家研制“超级二极管”,将带来革命性变革

凭借这些独特的物理化学性质,氮化镓在照明、显示、通信、电力电子等领域大放异彩,被誉为第三代半导体的“明星”(www.e993.com)2024年11月20日。而这次,科研人员基于氮化镓LED,做了一个看似小小的改动:在PN结的p型区域上方,添加了一个可独立控制的第三电极。就是这个精巧的设计,让二极管有了更多想象空间。

全球芯片关键技术研究最新进展

氧化镓方面,根据资料,特性上,氧化镓器件的导通特性几乎是于碳化硅的10倍,理论击穿场强是碳化硅的3倍多,并且化学和热稳定性较为良好,并能以比碳化硅和氮化镓更低的成本获得大尺寸、高质量、可掺杂的块状单晶。分类上,氧化镓共计5种同分异构体,分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3(β相氧化镓)最为稳定,...

半导体专题:一文看懂薄膜生长

(1)表面涂层:薄膜生长通常用于在固体表面上形成涂层,改变其表面性质或增加特定的功能性。(2)材料沉积:这是将材料沉积在基底上的过程,可以是金属、半导体、绝缘体等。重要性:(1)电子器件制造:在半导体工业中,薄膜生长是制造集成电路和其他电子器件的关键步骤。例如,通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

1.1.7、氮化镓外延:氮化镓材料真正发光发热之处氮化镓材料具有较宽的禁带以及较好的物理化学性质与热稳定,可以更好地满足5G技术、新能源汽车以及军事探测等领域对高功率耐高温、高频耐高压器件的需求,有着不错的市场前景。从氮化镓材料自身的性质来看,其在高温下会分解,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉...

800亿收购、200亿借壳,这些重组够霸气!

行业景气度的持续向好,让很多优秀公司扩张需求变得旺盛,2023年已经完成的重大重组事件就有5项,其中民企和其他性质企业占据了主流,而央国企仅完成其中2个项目,分别为央国企长江通信定增收购迪爱斯100%股权,中瓷电子定增收购博威公司73%股权、国联万众94.60%股权和氮化镓通信基站射频芯片业务。如此情况从侧面反映出,民企在...