美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,寄生电极重叠面积的减小提高了晶体管性能,这与TCAD模拟一致。作者进一步通过拟合经典的双极跃迁关系估算了空穴通过n掺杂红荧烯的扩散长度与校准的TCAD模拟一起大...
双极晶体管基础知识解析
晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。双极晶体管分类晶体管分类:双极型晶体管和场效应管双极型晶体管分类:NPN型管和PNP型管双极晶体管特点输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性,可表示为...
功率晶体管的历史和新兴设计
漂移区中具有线性梯度掺杂分布的GD-MOSFET(图3左侧)能够极大地改善漂移区中的电场分布,允许将其掺杂浓度增加到远高于(>10倍)图2所示的设计。这种方法将漂移区电阻降低到远低于先前认为的硅材料理想导通电阻的极限。该器件结构现在通常被称为分裂栅MOSFET(因为它只包含一个栅电极,所以用词不当),其阻断电压高达150V...
射频微波系统的仿真与设计--异质结晶体管(HBT)
而异质结双极晶体管电流放大倍数因为q(Sp-Sn)不为0,且是指数关系,比如异质结(Ga0.7Al0.3As/GaAs),q(Sp-Sn)≈0.37eV,exp(0.37eV/(kT))≈10^6,此时即使Ne/Pb=1/100,电流放大系数仍可达到l0^6。因此,在HBT的设计中可以大幅度提高基区的掺杂HBT,降低基区电阻,也可以降低发射区掺杂浓度从而降低发射极...
高压SiC MOSFET研究现状与展望
高压SiCMOSFET在非钳位感性负载下的雪崩失效机理目前有3种解释,分别是由源区寄生双极结型晶体管(BJT)开启导致结温急剧上升产生坏点、温度升高导致沟道自开启和铝电极达到熔点,这3者最终都导致热失效,然而失效原因各不相同(www.e993.com)2024年9月11日。白志强等人对P-well区的结构和掺杂进行调整和改进,通过降低BJT基区串联电阻和...
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
二者都可以实现晶体管的放大特性。BJT器件基本结构BJT器件由两个背靠背的p-n结构成。由于用于电流传输的p-n结包含电子与空穴两种载流子,所以BJT器件取名为“Bipolar(双向/双极)”JunctionTransistor。虽然BJT由两个p-n结构成,但不是任意两个背靠背的p-n结二极管都可以构成BJT。BJT器件对于各区的掺杂浓度以及...
第三代半导体碳化硅行业深度研究报告(上篇)
碳化硅功率器件主要包含SiC功率二极管、SiCMOSFET器件和碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiCBJT/SiCIGBT)等SiC晶体管两大类。SiC从上个世纪70年代开始研发,2001年SiC-SBD开始商用,2010年SiCMOSFET开始商用,而SiC-IGBT的商用仍存在挑战。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电,BJT既然叫双极性晶体管,那其内部也必然有空穴和载流子,理解这两种载流子的运动是理解BJT工作原理的关键。由于图中e(发射极)的P区空穴浓度要大于b(基极)的N区空穴浓度,因此会发生空穴的扩散,即空穴从P区扩散至N区。同理,e(发射极)的P区电子浓度要小于b(...
揭秘IGBT功率半导体!国际七巨头地位不保,国产替代黄金赛场 | 智...
IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力,已成为电力电子领域开关...