台积电官宣!2nm芯片涨价:一片晶圆3万多美元,太夸张了

同时，晶体管密度的提升也是不容忽视的亮点之一。据台积电透露，N2工艺的晶体管密度将提升15%，这意味着在相同面积内可以集成更多的晶体管，从而进一步提升芯片的集成度和处理能力。不过客观地说，技术上的飞跃并非没有代价。台积电2nm晶圆的天价背后，实际上是半导体制造行业高成本、高风险特性的直观体现。首先，从研发...

RTX 3080首发评测:翻倍CUDA+三星8nm,比2080 Ti强30%!

RTX3080(GA102)628mm??的芯片尺寸内塞进了280亿个晶体管,与之相比的是上代的RTX2080Ti,则是754mm??内,只有186亿个晶体管,密度几乎翻倍,而对比采用了TSMC7nm的GA100,826mm??的面积里塞下了540亿个晶体管。下面简单换算一下:GA100的晶体管密度在6537万/mm??左右,GA102是4458万/mm??左右,而...

全新4nm制程加持:AMD Zen 5 CCD晶体管密度提升27%

锐龙9000系处理器的IOD没有什么变化,与锐龙7000系处理器如出一辙,继续采用6nm制程工艺,晶体管密度为2790万/平方毫米,毕竟IOD需要的数据量不大,不用最新的工艺也能满足需要。至于负责计算的CCD核心,AMD锐龙9000处理器从5nm提升到了N4P也就是改良版4nm工艺,不但晶体管数量从65亿变成83.15亿,而且核心面积还略微...

芯片战或迎终章:华为麒麟9020晶体管密度惊艳,5G+AI新纪元已来

麒麟9020晶体管密度突破，开启5G+AI新纪元麒麟9020作为华为旗下的新一代旗舰芯片，其晶体管密度的突破无疑是一个重要的里程碑。晶体管密度是指芯片上晶体管数量与芯片面积的比值，它直接决定了芯片的性能和功耗。5nm至6nm的晶体管密度意味着麒麟9020在保持高性能的同时，还能实现更低的功耗，这对于移动设备来说尤...

锐龙9000 CCD面积缩小0.005%!83.15亿晶体管暴涨27%

得益于新工艺新架构,几乎不变的面积下,晶体管数量从65亿个增加到83.15亿个,也就是几乎27%,密度也首次突破1亿,达到了每平方毫米1.1778亿个。在移动端,StrixPoint锐龙AI300系列还是台积电4nm(N4P),相比于Phoenix1锐龙7040系列、HawkPoint1锐龙8040系列,核心数增加4个,二级缓存增加4MB,三级缓存增加8MB。

亚1nm技术节点CMOS集成电路的发展之径:晶体管三维堆叠的结构与...

文章从最新的GAAFET所面临的关键技术挑战出发,针对集成电路持续发展的集成密度需求,介绍了通过晶体管垂直三维堆叠,例如采用上下互补FET(CFET)(也称为3D堆叠FET(3DS-FET))和垂直沟道晶体管(VerticalChannelTransistor)实现1nm技术节点下IC的前沿发展路径,总结了实现晶体管三维堆叠所涉及的关键方法和所需的新工艺、新材...

【量产】首次采用EUV技术!英特尔宣布Intel 4已大规模量产

此外,台积电还计划2024年底推进N3P的量产。据悉,与N3E相比,N3P可以使得晶体管密度提高1.04倍、速度提高5%、功耗降低5%-10%。有消息称,今年苹果预计将吃掉台积电3nm工艺几乎全部产能,有望为台积电贡献高达34亿美元的销售额,占比将达到4-6%。(校对/赵碧莹)...

2nm半导体大战一触即发,iPhone 14沦为百元机刷新感人记录

据悉,其首部机台预计将于今年4月投入使用。据供应链媒体透露,苹果将成为首家采用台积电2nm工艺的客户,目前正与台积电紧密合作,共同研发和实施2nm芯片技术。这一技术在晶体管密度、性能和效率方面有望超越现有的3nm芯片。台积电的2nm芯片计划采用N2平台,引入了GAAFET(全栅场效应晶体管)纳米片晶体管架构以及背部供电...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

目前直观比较各家制程差异的唯一办法,就是回归摩尔定律的本质,对比晶体管密度,即单位面积内的晶体管数量。根据上表的数据,在14nm节点英特尔、台积电、三星单位晶体管数量都是每平方毫米0.3亿颗左右。10nm开始,英特尔将14nm+++改为Intel10,名字是跟上了,但晶体管数量却成了倒数第一,而三星则是在10nm的优化版,...

美韩日巨头步步紧逼,台积电提前3个月试产2nm

这次台积电宣称2nm制程试产时间比预期提前，也是一种营销，不过肯定吸取了3nm的教训，2nm用了Nanosheet架构，其晶体管密度、性能、功耗等比3nm工艺提高多少，还有待各种评测机构的检验。可以肯定的是，随着摩尔定律放缓，芯片巨头们在营销先进制程时必然要花更多功夫，甚至不惜制造更多“纳米谎言”。至于消费者是否愿意为此...