详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
禁带宽度(eV)1.121.41.33.23.39相对介电常数11.713.112.59.79.8击穿场强(mV/cm)0.30.40.52.23.3电子飘逸饱和速度(10^7cm/s)12122.5热导率(W/cm-K)1.50.50.74.52~3电子迁移率(cm^2/Ns)1350850054009001000功率密度(W/mm)0.20.51.8~101、禁...
石墨烯,半导体的“野心家”
直接产生禁带方面,研究表明,当构造的石墨烯纳米带宽度小于10nm时,可利用纳米石墨烯的量子效应和边缘效应来有效地打开能带带隙,从而使其产生半导体性质。2008年,英国研究人员制备出仅一个原子厚几纳米宽的石墨烯量子点器件。在这种尺度下,石墨烯存在约0.5eV的禁带宽度,且器件仍然能保持较好的导电性。间接产生禁带方面...
第三代半导体:一位北大教授的产业化之路
受访者供图沈波技术获得认可进入21世纪以来,以氮化镓,碳化硅,氧化镓,金刚石为代表的第三代半导体材料开始崭露头角.禁带宽度大,击穿电场强,导通电阻低,电子迁移率高,转换效率高,热导率高,损耗低……这些优势使得氮化镓备受关注.1995年在日本取得博士学位后,沈波开始从事氮化镓外延...
半导体芯片,到底是如何工作的?
当制程(也就是我们现在常说的7nm、3nm,一般指栅极的宽度)小于20nm时,麻烦出现了:MOSFET的栅极难以关闭电流通道,躁动的电子无法被阻拦,漏电现象屡屡出现,功耗也随之变高。为了解决这个问题,1999年,美籍华裔科学家胡正明教授,正式发明了鳍式场效应晶体管(FinFET)。相比PlanarFET的平面设计,FinFET直接变成了3D设计、...
芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网
当制程(也就是我们现在常说的7nm、3nm,一般指栅极的宽度)小于20nm时,麻烦出现了:MOSFET的栅极难以关闭电流通道,躁动的电子无法被阻拦,漏电现象屡屡出现,功耗也随之变高。为了解决这个问题,1999年,美籍华裔科学家胡正明教授,正式发明了鳍式场效应晶体管(FinFET)。
中国对锑相关物项实施出口管制,影响几何?
比如,锑化铟和锑化镓都属于直接带隙半导体材料,具有禁带宽度较窄、电子迁移率高、量子效率高、响应速度和灵敏的红外响应的特点,特别是近红外领域(波长0.8um-2.2um)电磁波可以转化为电力等特征,使其在长波长红外光检测和光通信中有广泛应用(www.e993.com)2024年10月20日。比如,红外传感器、红外探测器、红外发光二极管(LED)、激光器、转换器、恒温...
下一代芯片用什么半导体材料?专家:未来方向必然是宽禁带半导体
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度决定了半导体在不同温度和电场下的导电性能,宽禁带半导体能够在更高的温度、电压和频率下运行,从而降低损耗、提高效率,这一优势对于新能源汽车和5G通信、航天航空和军事系统等领域尤其重要,也可以应...
石墨烯,半导体的「野心家」
直接产生禁带方面,研究表明,当构造的石墨烯纳米带宽度小于10nm时,可利用纳米石墨烯的量子效应和边缘效应来有效地打开能带带隙,从而使其产生半导体性质。2008年,英国研究人员制备出仅一个原子厚几纳米宽的石墨烯量子点器件。在这种尺度下,石墨烯存在约0.5eV的禁带宽度,且器件仍然能保持较好的导电性。
半导体硅片行业专题报告:半导体硅片景气度向好,国产厂商前景可期
从技术成熟度层面来看,氧化镓禁带宽度(Eg=4.9eV)比第三代半导体材料更好,在导电性能和发光特性上也更优,因此在辐射探测传感器芯片、功率校正、逆变、高功率和超大功率芯片产业上具有广阔的应用前景。整体而言,全球半导体依然以硅材料为主,目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。
碳基半导体产业化,渐行渐近!4月25-26日,第四届碳基半导体材料与...
由中国天津大学和美国佐治亚理工学院科研人员组成的研究团队,找到了一种制作石墨烯半导体的新方法,把碳化硅中的带隙(也叫禁带宽度)成功引入到石墨烯结构中,让石墨烯由导体变成半导体,起到”芯“片用;哈工大携手华为成功攻克“金刚石芯片”,将有望在超级计算机、下一代5G通信基站、人工智能处理器等多个领域得到广泛...