晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领...
纯干货!射频功率放大器(RF PA)概述
开关型功率放大器(SwitchingModePA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有丁(D)类放大器和戊(E)类放大器,丁类放大器的效率高于丙类放大器。SMPA将有源晶体管驱动为开关模式,晶体管的工作状态要么是开,要么是关,其电压和电流的时域波形不存在交叠现象,所以是直流功耗为零,理想的效率能达到100%。传统线性功率...
基础知识之晶体管
基极相当于水龙头开关,发射极相当于水龙头出水口,集电极相当于水箱。用很小的力(向基极输入信号)控制水龙头开关,就会有大量的水从水箱(集电极)流向水龙头出水口(发射极)。通过这样的比喻来思考的话,可能更容易理解。现在,我们使用图1和图2更详细地讲解一下晶体管的放大原理。流经集电极的电流是与输入电压e和偏置...
双极性结型晶体管的开关损耗
双极性结型晶体管(BJT)既可以用作小信号放大器,也可以用作开关。尽管现在你在电路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用运算放大器要方便有效得多——但作为开关连接的BJT仍然很常见。BJT开关通常用于阻断或向有刷直流电机、灯或螺线管等负载输送电流。它们有时也出现在更高频率的开关应用中,如开关模式调节器或...
华为公司取得放大器及放大装置专利,放大器的线性度提高,同时减小...
放大器包括:至少一个第一增益电路,用于放大第一信号;每个第一增益电路包括第一晶体管和第二晶体管;第一晶体管的沟道处于强反型状态,第二晶体管的沟道处于弱反型状态;至少一个第二增益电路,用于放大第二信号;每个第二增益电路包括第三晶体管和第四晶体管;第三晶体管的沟道处于强反型状态,第四晶体管的沟道处于...
功率放大器损坏原因总结及维修处理经验
功率放大器损坏的原因可能涉及多个方面,包括但不限于以下几点:功放管问题:功放管可能因过电压击穿或过功耗烧毁而损坏(www.e993.com)2024年8月16日。这可能是由于功放管的质量欠佳,额定参数如V(BR)(R)、ICM、PCM比原功放管小,功放管散热不良,220V电源陡升,电路有低频振荡或高频自激,负载短路,或在非正常状态下工作,如功放机与音箱阻抗不匹配...
B类功率放大器介绍
RF扼流圈允许直流电流通过,但对RF信号而言,则相当于开路。输入RF扼流圈设定基极-发射极电压的静态值;集电极处的RF扼流圈提供晶体管的直流电流。负载是一个交流耦合电阻器(RL),在基频处有一个高Q谐振电路。通过缩短谐波分量,高Q谐振储能电路使输出电压在基频处呈正弦波。图3显示了接近理想A、B和C类放大器的晶体...
如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用?
RDS(ON)是开关导通时的电阻,会产生导通损耗。COSS的功率损耗等于CV2/2。当晶体管导通时,COSS通过RDS(ON)放电,产生导通损耗。传导损耗等于(CV2/2)xf,其中f是开关频率。用GaN开关代替硅开关可降低RDS(ON)和COSS值,从而能够设计更高效的电源或实现更高频率的操作,同时对效率的影响更小,这有助于缩小...
可控硅基本知识
可控硅导通的条件,除了像二极管一样必须具有足够大的正向电源以外,还必须在控制极与阴极基之间施加一个足够大的正向触发电压(称触发信号)。可控硅尚未导通时的状态称正向阻断。三、可控硅的工作原理1、根据可控硅的结构,可以把它看成由NPN型晶体管T??和PNP型晶体管T??所组成。如下图所示:...
电子元器件如何实现CPU的运算?
三极管电路有导通和截止两种状态,这两种状态就可以作为“二进制”的基础。从模电角度来说晶体管还有放大状态,有关内容请移步:告别三极管放大状态的泥潭。但是我们此处考虑的是晶体管应用于数字电路,只要求它作为开关电路,即能够导通和截止就可以了。如上图所示,当b处电压>e处电压时,晶体管中c极和e极截止;当b处...