联华电子取得静态随机存取存储器装置专利

金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置”的专利,授权公告号CN112530491B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界作者:情报员

起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革新之旅

而FeRAM(铁电随机存取存储器FerroelectricRAM),也称为FRAM(FRAM是Ramtron、Cypress、Infineon的注册商标,富士康注册为FeRAM)。FRAM并非使用铁电材料,只是由于存储机制类似铁磁存储的滞后行为,因此得名。FeRAM同时结合了易失性存储器、非易失性存储器的特点。首先,FeRAM的读写速度达到纳秒级,远超NORFlash和EEPROM;...

ACS Nano:可靠的二维钙钛矿忆阻器,用于柔性电阻随机存取存储器阵列

ACSNano:可靠的二维钙钛矿忆阻器,用于柔性电阻随机存取存储器阵列二维(2D)卤化物钙钛矿因其低功耗、成分多样性和微结构各向异性而在电子学中成为有前途的忆阻器材料。然而,要实现高性能的阻变随机存取存储器,需要更高的可靠性和耐湿性。为了解决这些问题,尽管已有研究报告了组成研究并尝试提高相稳定性,但仍未能达到...

...失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构专利

金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,意法半导体(鲁塞)公司取得一项名为“每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构”的专利,授权公告号CN110782932B,申请日期为2019年7月。本文源自:金融界作者:情报员

美光科技申请计算快速链路动态随机存取存储器加与非系统解决方案...

所述系统还包含：动态随机存取存储器DRAM，其可操作地耦合到所述第二接口；存储器控制器，其可操作地耦合到所述第二接口及所述DRAM且经配置以控制信息通过所述第二接口在所述DRAM与所述主机计算装置之间的传送；及处理电路系统，其至少经配置以将通过所述第一接口接收的所述第一数据存储在所述非易失性存储器中...

台积电申请双端口静态随机存取存储器单元电路专利,提供了一种特定...

金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“双端口静态随机存取存储器单元电路“,公开号CN202410494777.1,申请日期为2024年4月(www.e993.com)2024年11月27日。专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路

静态随机存取存储器(SRAM)行业发展现状及市场潜力分析报告

根据不同产品类型,静态随机存取存储器(SRAM)细分为:nvSRAM、异步SRAM、同步SRAM、低功耗SRAM根据静态随机存取存储器(SRAM)不同下游应用,本文重点关注以下领域:网络、航空航天、医疗、汽车电子、消费电子产品、其他本文重点关注全球范围内静态随机存取存储器(SRAM)主要企业,包括:Cypress、Renesas、ISSI、GSI、Samsung、IDT...

动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?

可以在较小的空间内存储更多数据；SRAM集成度较低。成本：DRAM成本较低，SRAM成本较高。刷新：DRAM需要定期刷新来保持数据，SRAM则不需要刷新。功耗：一般情况下，SRAM的功耗相对较高，DRAM功耗较低。应用场景：SRAM常用于高速缓存等对速度要求极高的地方；DRAM广泛用于主内存等需要较大存储容量的场合。

SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,纳思达涨6.09%

06月17日,SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,截至10点22分,SRAM(静态随机存取存储器)概念整体指数上涨1.08%,报1121.250点。从个股上来看,该概念的成分股中,纳思达涨6.09%,恒烁股份、睿能科技、北京君正涨幅居前。从资金上来看,截止发稿,SRAM(静态随机存取存储器)概念主力净流入为-5059.21万,其中纳思达受到...

三星取得存储器装置及存储器模块专利,支持行“主序”存取及列“主...

金融界2024年4月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“存储器装置及存储器模块“,授权公告号CN109390015B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,本发明提供一种存储器装置及存储器模块。存储器装置包括双晶体管单电容器动态随机存取存储器的阵列以及存储器控制器。动态随机存取存储器单元被排列...