【解密】福建晋华改良DRAM单元结构解密;“微信支付”被诉侵犯扫码...
对于具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言,由于它可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度,进而减少电容结构的漏电情形产生,因此在目前主流发展趋势下,具备凹入式栅极结构的DRAM单元已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。然而,受限于制作工艺技术之故,现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷,还待进一...
中国OLED面板供应商已占45%以上市场份额;2024年Q3全球PC出货同比...
机构:Q4DRAM市场仅HBM价格环比上涨根据市场研究公司TrendForce的预测,今年第四季度通用DRAM的价格预计将比上一季度上涨0%~5%,但随着HBM在DRAM市场所占份额的上升,包括HBM在内的所有DRAM的平均价格预计将比上一季度上涨8%~13%。第三季度通用DRAM价格的增长率为8%~13%,但预计第四季度将停滞不前,原因是经济衰退...
上半年半导体市场回暖,下半年会更好吗?——半导体产业链企业2024...
硅片作为半导体产业链的上游,其市场复苏滞后于终端市场、芯片制造等产业链的下游环节,沪硅产业、上海合晶、有研硅营收同比下降;但功率半导体用外延片景气度相对较高,立昂微硅片业务营收同比增长15.28%,中晶科技、神工股份营收提升31.01%、58.84%,净利润同比分别185.7%、120.09%。6、功率半导体呈结构性改善功率半导体由...
半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽
DRAM结构分为存储阵列(Cell)和外围区(Periphery)。DRAM刻蚀工艺按刻蚀材料可分为导体刻蚀和介质刻蚀。BEOL的MC/Via/Trench/PAD、MEOL的CC/PC和Cell的Cap及其介质掩膜版(MaskOpen)均属于介质刻蚀工艺,常采用电容耦合等离子体(CCP)刻蚀设备。DRAM介质刻蚀按图形类型可分为完全封闭的孔(Hole)和半封...
【山证电子】长电科技深度报告--加速从消费转向高附加值领域,并购...
集成电路封测全球市场规模近千亿美元,下游通讯电子为主。根据集微咨询数据,2023年全球封测市场规模约为822亿美元,预计2024年有望增长9.4%到899亿美元,2026年将进一步达到961亿美元。芯思想研究院数据显示,2023年全球委外封测市场规模约为2859亿元。通讯(手机、平板等)、运算是封测市场最大的应用领域,2023年长电科技、日...
2024年中国存储芯片行业市场前景预测研究报告(简版)
3.存储芯片市场结构在当前的存储芯片市场中,DRAM和NANDFlash这两种存储技术各自占据了市场的重要份额,共同构成了存储芯片行业的基石(www.e993.com)2024年10月19日。DRAM作为市场规模的佼佼者,其市场占比高达约55.9%。DRAM以其高速读写能力和易失性特性,在数据处理和计算任务中发挥着至关重要的作用,广泛应用于计算机、服务器以及各类消费电子设备中...
华福晨会0923 | 全行业周观点合集_手机新浪网
(3)市场结构:市场量能较上周环比走弱,或受到节假日导致本周实际交易日少于上周的影响,房地产、非银金融、煤炭多头个股占比居前,食品饮料、银行、公用事业内部或存在α机会。(4)市场资金:本周陆股通周内日平均成交金额较上周上升290亿元,平均成交笔数较上周上升217万笔。陆股通成交额排名前三的标的为贵州茅台...
RAM RRAM DRAM三者有什么区别?
DRAM,即动态随机存取存储器,依赖电容储存电荷来保存数据。由于其结构,需要定时刷新电路以维持数据稳定。虽然读写速度较SRAM慢,但由于其容量大、成本低,被广泛应用于计算机、智能手机和服务器等主存储器中。SRAM,即静态随机存取存储器,则采用晶体管来存储数据,因此读写速度更快。但制造成本较高,通常用于对速度...
财经下午茶20240919 | 沪指放量反弹收涨0.69%
坚持和落实“两个毫不动摇”,制定国有经济布局优化和结构调整指引目录,制定民营经济促进法,促进各种所有制经济优势互补、共同发展。推动构建全国统一大市场,完善要素市场制度和规则,健全一体衔接的流通规则和标准,畅通国民经济循环。完善市场经济基础制度,依法平等长久保护各种所有制经济产权,完善市场准入制度,优化新业态新...
亚商投顾熊舞:HBM产业链结构分析
HBM的工艺把DRAM技术路径从平面结构带向了3D结构,3D结构的构建将为对应的设备材料带来更多需求,其中TSV工艺最为关键,硅通孔刻蚀、刻蚀完成后的金属填充、CMP抛光、键合等环节需求相应增长,对应材料方面,刻蚀液、硅电极、电镀液、CVD前驱体、靶材、键合材料、硅球粉等耗材需求提升。