【头条】国产最大容量新型存储器芯片问世;

近日,武汉光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)宣布其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且存储时读、...

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

快科技10月2日消息，据媒体报道，新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望结束国际巨头的长期垄断局面。新存科技总经理刘峻透露，“NM101”芯片的容量达到64GB，是国内同类产品的数十倍，同时支持随机读写。与国内现有同类产品相比，其存储速度提升了10倍以上，使用寿命增加了5倍，意味...

四川团队突破固态量子存储器容量世界纪录

记者3月7日从电子科技大学获悉,近日,该校信息与量子实验室和天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心联合攻关,实现了光纤通信波段光子的时-频模式复用存储,突破了固态量子存储器容量的世界纪录。该成果是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一关键进展。量子互联网被认为是本世纪最重要的技术前沿之...

科学家开出发具有pb容量的3D纳米级光盘存储器

近日,中国科学院上海光学精密机械研究所的阮昊及其研究小组与上海理工大学的顾敏等人合作并取得一项新进展。经过不懈努力,他们开出发具有pb容量的3D纳米级光盘存储器。相关研究成果已于2024年2月21日在国际权威学术期刊《自然》上发表。据悉,为了满足日益增长的数据需求,需要大容量存储技术。然而,基于半导体闪存设备和硬盘...

复旦微电:NOR Flash存储器中,大容量512Mbit/1Gbit新产品预计2024...

复旦微电近期接受投资者调研时称,公司NORFlash存储器主要由小容量NORFlash(512Kbit~16Mbit)和中大容量NORFlash(32Mbit至256Mbit)构成,大容量512Mbit/1Gbit新产品预计2024年量产。小容量NORFlash主要应用领域包括电脑摄像头及电脑周边配件(如USB外接硬盘、Type-C接口扩展器等)、显示面板模组、WiFi模块等领域,中...

国产最大容量新型存储器芯片在光谷面世

9月29日,光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断(www.e993.com)2024年12月18日。(湖北日报全媒记者魏铼摄)图为研发人员在讨论芯片封装工艺细节。图为新型三维存储器芯片(左)和晶粒(右)。

...提问:董秘您好!请问公司2020年3月发表的高可靠超大容量存储器...

请问公司2020年3月发表的高可靠超大容量存储器芯片3D(SIP)芯片封装改扩建项目,现在已经完工了吗?公司官网我看有大容量NANDFLASH是高存储密度的闪存存储器的产品还有SRAM产品,请问是真的吗?如果是真的,这些产品运功到哪些方面呢?董秘回答(航宇微SZ300053):...

深耕芯片设计,中国存储企业longsys江波龙初探小容量存储芯片与车...

江波龙也深知核心技术的重要性,从2019年开始布局SLCNANDFlash小容量存储芯片业务,并且在2022年取得良好效果。率先在中国大陆推出了512MbSLCNANDFlash小容量存储芯片,可广泛用于IoT市场,并且技术上可以替代NORFlash。该类芯片通过高通和紫光展锐等20多家主流平台认证,其生产全过程质量管理可以实现颗粒级可追溯性,...

HBM(高带宽存储器)简介

随着摩尔定律的不断迭代,CPU运行速度快速提升,CPU主频高达5GHz,而DRAM内存性能取决于电容充放电速度以及DRAM与CPU之间的接口带宽,存储性能提升远慢于CPU,DRAM内存带宽成为制约计算机性能发展的重要瓶颈。DDR4内存主频为2666~3200MHz,带宽为6.4GB/s,但是在AI应用中(高性能计算/数据中心),算力芯片的数据吞吐量峰值在TB/...

国产最大容量新型存储器芯片面世 存一部10GB高清电影仅需1秒

9月30日,记者从光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)获悉,该公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且...