大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?

因为当时10nm那组难产,没过多久7nm那组就起来,两者相差一年都不到,客户没怎么用上10nm,就纷纷直接转去用7nm工艺了,所以实际上TSMC的10nm就没啥客户来流过片。所以就有了摩尔定律:每隔18个月,同面积下晶体管数量翻倍但是价格不变。数量翻倍就是因为晶体管的面积只有原来的0.5x大小,当然就翻倍了。但是追溯历史...

如果说7nm是制程工艺物理极限 那么1nm是什么概念?

也正是因此,28nm制造工艺被部分业内人士认为是非常有活力的,而且依旧会被持续使用数年。中国应脚踏实地解决现实问题对于劳伦斯伯克利国家实验室将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm,国人不必将其看得太重,因为这仅仅是一项在实验室中的技术突破,哪怕退一步说,该项技术已经成熟且可以商业化,由于其在商...

魅族前高管李楠突破28nm芯片制造很牛,但高端芯片需要10-20年!

然而，魅族的前高管李楠这位大V认为，我们在28nm技术上取得了突破，这确实不错，但没有美国的技术支撑，7nm制程的发展仍旧非常困难，可以说是一个漫长的过程。目前，我们在低端芯片市场占据主导地位，但高端芯片可能需要10到20年的时间才能实现突破！有网友表示，华为已经研发出7nm的芯片，这一成果是采用多重曝光技术实...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

1.35NA的浸没式DUV分辨率约38nm,单次曝光能满足28nm逻辑节点,在2015年EUV光刻机量产之前,台积电最先进制程已发展到16/12nm,实现手段便是多重曝光技术。当制程微缩至10nm及以下时,浸没式DUV多重曝光的工艺复杂度急剧上升。ArF+双重曝光广泛用于22/20/16/14nm,三重或多重光刻技术可达到10nm甚至7nm。台积电第一代...

国产半导体迎来曙光:7nm工艺正式交付,外媒惊呼“反转再现”

这个成果的取得并非一朝一夕之功。我们国产半导体的发展历程可谓是充满了艰辛和挑战。从最初的28nm工艺，到后来的14nm，每一步都走得异常艰难。但正是这种不屈不挠的精神，才让我们最终赢得了胜利。说到这里，不得不提一下我们的科研人员。他们可真是了不起啊！为了攻克7nm这个难关，有多少人熬夜加班、放弃休息...

7nm以下非必须!中国芯片产能5年内翻倍:28nm以上制程领先全球

7nm以下非必须!中国芯片产能5年内翻倍:28nm以上制程领先全球快科技1月13日消息,据国外机构最新调研显示,中国的芯片制造能力将在5到7年内增加一倍以上,“大大超过”市场预期(www.e993.com)2024年11月3日。研究显示,根据对中国48家拥有制造工厂的芯片制造商的分析,预计60%的新增产能可能会在未来3年内增加。

3/5nm拿不到!华为高管称能解决7nm就非常好:中国发力28nm及更成熟...

事实上,7nm也并非必需,调查显示,中国大陆2023年在汽车产业等大量需要28纳米以上之成熟制程半导体,目前已占全球生产能力之29%。由于美国等对先进设备出口管制,这导致中国大陆转而扩大投入成熟制程(28nm及更成熟的制程),预计2027年中国大陆成熟制程产能占比可达39%。

...中国半导体现状:7nm及其以下芯片生产仍困难,发力10-28nm等成熟...

报告中也看到,对于10至22nm的芯片,到2032年,中国的生产能力份额将增加两倍,从6%增加到19%。对于28nm以上的芯片,预计中国的份额增幅最大,将从2022年的33%增至2032年的37%。报告预计,中国只能生产全球最先进芯片的2%(7nm及其以下)。希望华为等优秀的国产厂商共同发力了......

中国半导体现状:7nm及其以下芯片生产仍困难,发力10-28nm等制程

而对于28nm及以上的低端芯片,中国的产能优势将进一步扩大,预计到2032年,这一领域的全球产能份额将从现在的33%增长到37%。令人遗憾的是,在最先进的7nm及以下制程芯片领域,2032年时中国的产能仅占全球的2%。这一数据再次说明,中国与国际先进水平的差距仍然较大,在制程工艺方面我们面临的挑战依然艰巨。

台积电改策略:7nm芯片厂不建了,28nm改2nm,不与大陆竞争?

不过到了2022年的时候,台积电先是表示7nm芯片不建了,因为手机和电脑市场需求疲软,台积电原来的7nm产能都是供过于求,利用率大跌,甚至一度跌至70%以上,当然也就没有建设的必要了。而近日,传出消息,那就是台积电在高雄的28nm工厂,也不建了,要改成2nm工厂,放弃28nm工艺。