禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

据CNews报道，俄罗斯工业和贸易部还制定了一项电子制造设备的国产替代计划，预计2030年实现65nm技术，若俄这一计划达到预期效果，那么中低端制程也能实现自我供给了。相比俄罗斯的速度我国其实快了很多，ASML曾表示就算给我们图纸也造不出光刻机，如今套刻精度≤8nm的氟化氩光刻机和套刻精度≤25nm的氟化氪光刻机横空...

不正常!国产光刻机官宣后国外网友沸腾,美荷却罕见沉默了?

有专业分析人士认为,未来5-10年的时间,中国的国内半导体布局会放在零组件的发展和90nm、28nm光刻机的研发量产上。从海关数据来看,2023年我国进口的光刻机数量高达225台,进口金额高达87.54亿美元,再创历史新高。所以从这个数据不难发现,未来3到5年的时间里,我国的光刻机仍然要高度依赖于进口。中国的光刻机发...

美国警报拉响!65nm国产光刻机成功量产,推动8nm芯片多重曝光!

而这次中国的65nm光刻机量产，标志着芯片制造上迈出了关键的一步。更令人兴奋的是，多重曝光技术的应用，让8nm芯片的生产也变得可行。这一进展不仅满足了国内市场的需求，还在国际竞争中为中国争取了一席之地。特别是在如今国际形势下，芯片的自主生产能力已经成为国家安全和发展的重要保障。光刻机的国产化，绝对是...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

前段时间,突然听到有很多人在问:中国自己的7nm光刻机,是不是真的造出来了?起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。不过,业内人士认为,考虑到套刻精度误差更大等原因,该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm光刻...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

我们这里只是简单说下人家得出的结论(www.e993.com)2024年11月1日。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,短期5~10年内一方面重点发展90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键,一方面重点布局国内半导体零组件发展。光刻机产业链亟须发展东海证券称,根据中国国际招标网信息,半导体设备招标中,刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升,核心在于技术...

国产光刻机入选工信部推广目录 产业链这些上市公司“有料”

东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,5~10年内90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键。光刻机产业链亟须发展东海证券称,根据中国国际招标网信息,半导体设备招标中,刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升,核心在于技术上我国相关企业已经逐步追赶上海外企业;但光刻机作为...

美论坛惊讶,中国怎敢擅自研发光刻机?国产光刻机官宣,打谁的脸

04然而,国产光刻机在套刻精度方面仍与ASML同级别产品存在差距,未来仍需努力。05无论如何,中国工业潜力与未来长期发展值得乐观,光刻机突破有望实现全产业链自主可控。以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考我国在重重的技术封锁之下,工信部DUV光刻机官宣,氟化氩193nm波长、8nm的套刻精度光刻机已经进入推广目录。

国产光刻机重大突破,半导体行业持续复苏!光刻机概念集体爆发

9月18日早盘,光刻机(胶)概念大涨,张江高科(600895.SH)、海立股份(600619.SH)等竞价涨停。截至中午收盘,波长光电收获20CM涨停,蓝英装备、京华激光等股也实现10CM涨停。消息面上,工信部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《指导目录》)。在电子专用装备目录中,集成电路生产装备包括...