【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

1.工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《目录》)通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化...

不正常!国产光刻机官宣后国外网友沸腾,美荷却罕见沉默了?

遗憾的是，尽管全国14亿人民期望中国能够迅速突破封锁，掌握顶级光刻机技术，但现实情况表明，我们的光刻机仅能达到≤8纳米的套刻精度，实际分辨能力为≤65纳米，距离目标仍有一定距离。实际上，通过上述讨论，我们已经找到了问题的答案。此次我们所取得的技术突破，并未对荷兰构成实质性威胁。换句话说，我们研发的光...

荷兰“投降”,中方官宣国产光刻机,刚过15天,荷派人赴美摊牌

虽然28纳米的突破未能给美国和荷兰造成“心理阴影”，但全球顶级芯片正向7纳米、5纳米的制程迈进。中国的28纳米光刻机虽有所进展，但与ASML的EUV光刻机相比，仍显“低配”。2023年初，SMEE传来好消息，表示14纳米光刻机已经研发成功。这使得国内半导体公司十分欣喜，因为这意味着可以减少被“卡脖子”的情况，许多国...

国产光刻机重大突破!28纳米芯片全流程国产化,龙头厂商梳理

2024年,中国工信部发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》,将氟化氪光刻机与氟化氩光刻机列入其中。这一政策的推出,标志着中国在光刻机技术上取得了突破性进展。氟化氪和氟化氩光刻机的技术规格虽然依然无法完全与ASML的EUV(极紫外光刻机)媲美,但这些国产设备的出现,为中国的半导体产业提供了强有力的...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

中国自己的7nm光刻机,是不是真的造出来了?起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近(www.e993.com)2024年11月1日。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

国产光刻机入选工信部推广目录 产业链这些上市公司“有料”

此次入选推广目录的氟化氩光刻机,应属于干式ArF光刻机。在具体指标上,与ASML旗下TWINSCANNXT:1470以及TWINSCANXT:1460K类似。国产光刻机实力几何?据工信微报发文,此次指导目录是为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

国产光刻机实力几何?据工信微报发文,此次指导目录是为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。具体来看,氟化氪光刻机晶圆直径为300mm(12英寸);照明波长为248mm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm。

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?-钛媒体官方...

我们这里只是简单说下人家得出的结论。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

我们这里只是简单说下人家得出的结论。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色...