美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

美国趁着这个机会，对中国有关先进半导体设计的软件停止供应，这给中国芯片产业带来了极大冲击，产生了非常不好的影响。同时，美国颁布法令限制高端芯片流入中国，明确禁止向中国出口14纳米及以下的先进半导体。不止这样，美国把制裁的范围扩展到整个产业链了，从半导体制造一直到先进计算机之类的，全都放进了对华出口管制...

中国芯片产业双轨发展 先进与成熟工艺共创7000亿出口新高

在存储芯片的耐用性考虑下，主流走向仍是10纳米以上的工艺，像19纳米已经成为行业标杆，进一步彰显出国产设备在某种程度上替代了进口设备。此外，中国早已宣布国产光刻机实现了关键性突破，其套刻精度已达到8纳米，正在国内芯片产业推广应用。这证实了中国在光刻技术上的快速前进，光刻机的成功推广将使国内芯片产业链不...

美媒:能让阿斯麦瘫痪台积电光刻机,结果阿斯麦一天蒸发600亿

在美国政府的压力下,阿斯麦不得不停止向中国大陆出口EUV光刻机,这直接导致其损失了中国这个巨大的市场。为了进一步限制中国芯片产业的发展,美国政府不断向阿斯麦施压,要求其扩大出口管制范围,将DUV光刻机等更多类型的芯片制造设备纳入禁运清单。阿斯麦按照美国的要求,全面断供DUV光刻机,那么其损失将难以估量。这样做...

荷兰“投降”,中方官宣国产光刻机,刚过15天,荷派人赴美摊牌

虽然28纳米的突破未能给美国和荷兰造成“心理阴影”，但全球顶级芯片正向7纳米、5纳米的制程迈进。中国的28纳米光刻机虽有所进展，但与ASML的EUV光刻机相比，仍显“低配”。2023年初，SMEE传来好消息，表示14纳米光刻机已经研发成功。这使得国内半导体公司十分欣喜，因为这意味着可以减少被“卡脖子”的情况，许多国...

中国芯片代工稳居全球前三,证明美芯确实在衰退

中国芯片行业虽然一开始决定发展成熟工艺,但是依托于可以获得的DUV光刻机,中国仍然积极发展先进工艺,14纳米工艺早已量产,业界普遍认为中国芯片制造已可量产7纳米工艺,而联电和格芯都已停留在14纳米工艺,如此中国芯片行业在先进工艺方面就已超越了美国芯片企业格芯,这也推动了国产芯片代工的发展。

正式确认,国内的光刻机完全可以生产5纳米,先进工艺不再是桎梏

一直以来,国产芯片研发先进工艺都存在不小的争议,因为ASML没有将先进的EUV光刻机卖给中国芯片企业,中国芯片企业之前买下的最先进光刻机也是2000i,台积电曾以这款光刻机生产7纳米(www.e993.com)2024年11月1日。为了打破芯片工艺对国产芯片的限制,国内芯片制造企业一直在尝试以现有的浸润式DUV光刻机开发7纳米乃至5纳米工艺,其中的一项重要技术是多...

关于芯片的8个关键疑问 我们和中科院微电子研究所王晓磊聊了聊丨...

“一直以来,光刻机最小分辨率是技术节点微缩的重要驱动力。”王晓磊介绍,比如45纳米技术节点,采用193纳米紫外光源;14纳米技术节点,采用浸没式光刻技术;到了7纳米,为了实现更小光刻分辨率,使用极紫外光源,即EUV光刻技术。“一般来说,用于成像的光源波长越短,光路空间的折射率越高,分辨率越好。”王晓磊介绍,EUV光刻采...

项立刚:光刻机这颗明珠很快要变成玻璃珠了!中国已拿下光刻机

其ArF和KrF光刻机已实现批量供货,成为华为海思、紫光展锐等龙头芯片企业的重要供应商。华卓精科则在EUV(13.5纳米)极紫外光刻机领域取得突破,EUV光刻机是目前最先进的光刻设备,可实现5纳米及以下的超精细制程。而华为凭借这一技术实现了7纳米芯片的量产,结束了长期依赖进口的被动局面。

希望来了!国产光刻机突破难关,将量产14纳米芯片

哈工大实验团队在国产DUV光刻机研发领域实现突破。成功解决了最后一个难关,现在能够自行建造光刻机的核心部件,这是一个重要的里程碑。此外,14纳米的光刻机,有望在今年内进行量产。这表明我国对于光刻机技术的研发一直在积极推动,并且取得了一定的成果。这对于我国的半导体产业和科技创新都具有重要意义。

上海:14纳米芯片规模量产,90纳米光刻机等实现突破

“14纳米先进工艺规模实现量产,90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破;全市集成电路产业规模达到2500亿元,约占全国25%,集聚重点企业超过1000家,吸引了全国40%的集成电路人才。”