DRAM技术的飞跃:SK海力士引领第六代10纳米时代
第六代10纳米级DRAM的发布,是SK海力士多年来技术积累与创新突破的结晶。与前几代产品相比,这款新型DRAM在存储密度、速度以及功耗等方面都实现了质的飞跃。通过精密的工艺改进和结构优化,第六代DRAM不仅提升了数据处理速度,还降低了能耗,这对电子设备的性能和续航能力具有深远的影响。1.2技术实现的关键这一技...
SK海力士开发下一代HBM标准,新标准性能提升将达到30倍
SKHynix开发出性能提高30倍的下一代HBM标准8月21日-在2024年SK利川论坛上,主要内存芯片制造商SKHynix副总裁RyuSeong-su宣布,该公司计划开发新的HBM内存标准,其速度将是目前HBM产品的30倍,成为竞争激烈的HBM市场的领导者。"SKHynix副总裁RyuSeong-su说:"...
【手慢无】海力士DDR3L 1600 8G内存条到手价99元
综上所述,这款海力士DDR3L16008G台式机内存条具有高速度、高稳定性和节能等优点,并且现在购买还可享受满99减10元的优惠活动,性价比极高。对这款产品感兴趣的朋友,不妨趁此机会入手一款来提升自己的电脑性能。现代海力士(SKhynix)台式机内存条DDR3L1600台式机电脑拆机内存DDR3L16008G台式机内存[经...
SK 海力士将展示 AI 内存新品:12 层 HBM3E、321-high NAND 等
从左上开始,顺时针依次为321层NAND闪存、ZUFS4.0、PS1010和PCB01从左上开始,顺时针依次为LPDDR5T、HBM3E、CMS2.0和GDDR6-AiM演讲SKhynixHBM工艺集成主管UnohKwon和SSDPMO主管ChunsungKim将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的AI内存和存储解决方案领导力与愿景》的...
2024入手固态硬盘防踩坑指南!海力士固态硬盘怎么样?
再来看看这款固态硬盘的主控和闪存组件。它的主控是SKHynix自研的ACNS075,采用了台积电的12nm工艺。主控器是一颗四核SoC,支持8通道闪存,每个通道闪存接口传输速度可以达到1600MT/s。主控旁边的DRAM颗粒是LPDDR4缓存,这款1TB版本DRAM缓存容量为1GB。在没代差的情况下,有DRAM就是高端固态硬盘的标志,不仅可以提升读写...
SK 海力士 8 月 6 日将展示 AI 内存新品:12 层 HBM3E、321-high...
IT之家8月1日消息,SK海力士今天(8月1日)发布博文,宣布将出席8月6日至8日,在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS2024,展示诸多新一代产品(www.e993.com)2024年9月23日。未来存储器和存储峰会(FutureMemoryandStorage)简介前身是主要面向NAND供应商的闪存峰会(FlashMemorySummit),在人工...
SK Hynix实现爆炸式财务增长 宣布推出64GB容量的32Gb DDR5 DRAM
进入人工智能PC时代后,内存将在处理能力方面发挥至关重要的作用,韩国巨头希望充分利用这一点,与三星等公司一起采用第五代10纳米技术。人工智能又一次成功地将另一家公司从不断下滑的财务业绩中拯救出来,SK海力士看起来已经准备好在未来占据主导地位,尤其是凭借其与台积电和英伟达(NVIDIA)等领先企业的密切关系...
英伟达供应商SK海力士表示2025年的高带宽内存芯片几乎售罄
北京时间2日晚,英伟达供应商SK海力士(SKHynix)周四表示,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年几乎已经售罄,因为人工智能的繁荣推动了对这些芯片的需求。这家韩国存储芯片制造商表示,其HBM芯片在2024年已完全售罄。该公司表示,将从今年第三季度开始量产最新一代的HBM芯片,即12层HBM3E。
AI热潮加剧HBM内存短缺:SK海力士2024年内存售罄
如果从PC游戏的角度来看,你肯定知道标准的DDR5内存和图形优化的GDDR6(X)内存。你可能不熟悉HBM,这项技术使用非常宽的1024位连接到主机处理器,1024仅是“每个包”的宽度——大多数使用HBM的GPU使用多个包或HBM“堆栈”来获得超宽内存带宽。据推测,GDDR6内存的每个引脚速度高达24Gbps,而世界上最快的HBM“只有”...
「带你了解」最新 DDR5 内存技术:精选 4 款高性能内存条推荐!
接着,我们再为您推荐一款出自现代(SKhynix)工厂制造的DDR5笔记本内存条。这款内存条运用了最先进的第五代技术,从而实现了更低的能耗与更高的稳定性。与此同时,为了最大程度地避免因数据错误导致的问题发生,该内存条内建了ECC校验功能。更重要的是,您可以根据自身需求自由选择4800MHz或5600MHz的工作频率。海力士...