【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特...

唯一掌握5nm刻蚀机黑马,业绩大增,外资重仓5941万股,有望腾飞

未来随着国家对尖端科技领域不断加大投入和支持,以及国家大基金三期的加速落地,我国光刻机与刻蚀机产业或将迎来前所未有的发展机遇。在此背景下,经过深入分析复盘整个市场,发现三家具有显著成长潜力的企业,值得关注!第一家,北方华创公司的12英寸等离子体刻蚀机,晶边干法刻蚀设备,其技术性能已达业界主流水平。技...

国产光刻机取得重大进展 氟化氩光刻机套刻≤8nm

除了光刻机,工信部在印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,还有多类集成电路生产装备,包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特种金属膜层刻蚀机、化学气相沉积装备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测...

A股三大指数全线翻红,沪指涨0.68%,大金融板块涨幅居前

金融、科技等国家支持政策的协同,工业和信息化部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《指导目录》),其中在电子专用装备目录下,“集成电路生产装备”包括氟化氩光刻机、氟化氪光刻机、等离子干法刻蚀机、高能离子注入机等。

国产光刻机重大突破 工信部印发推广指导

除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。目前来说,光刻机共经历了六代的发展,从最早的436nm波长,再到...

氟化氩光刻机带动光刻机概念大涨!A股巨头,集体异动拉升!除了贵州...

消息面上,日前,为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工业和信息化部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《指导目录》),其中在电子专用装备目录下,“集成电路生产装备”包括氟化氩光刻机、氟化氪光刻机、等离子干法刻蚀机、...

回顾:中微技术3nm刻蚀机实现量产!皮米级刻蚀精度!外媒:狼来了

刻蚀机的主要功能是通过物理、化学或两者结合的方式，去除不需要的材料，形成电路图。光刻机虽然负责将电路的图案“曝光”到晶圆上，但最终的电路图形是由刻蚀机通过去除多余材料来实现的。刻蚀工艺大致分为湿法和干法两类，其中湿法刻蚀由于其在水平和垂直方向上无法精确控制腐蚀边界，通常仅用于清洗或去除非关键区域...

全球及中国刻蚀机行业发展现状及竞争格局分析,市场规模有望持续...

刻蚀机产业概述刻蚀机是一种用于制造微细结构的设备,常见于半导体、光学和电子工业中。该设备通过将化学反应物和物理能量相结合,去除材料表面的一部分,从而创建所需的微细结构。刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀,湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗...

刻蚀机深度报告:半导体国产替代最优赛道

金属刻蚀、介质刻蚀。公司尤其在国产ICP刻蚀技术方面具备领先地位；应用于集成电路领域的硅刻蚀机已突破14nm技术，进入主流芯片代工厂。此为报告精编节选，报告PDF原文：《电子设备-半导体行业深度报告（六）：刻蚀机，技术追赶步履不停，国产替代空间充裕-东海证券-2023120632页》报告来源：价值目录...

半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕

(1)刻蚀设备是半导体器件加工的上游核心环节之一,上游零组件逐步国产化,下游晶圆扩产逐步带动国产设备技术进步与占有率提升。1)刻蚀机产业链的上游为各类零件及系统的生产供应商,主要分为预真空室、刻蚀腔体、供气系统、真空系统四大部分,各个环节均涉及一定的核心零部件。目前国内已有多家厂商涉足相关核心零件的生...