【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

1.工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《目录》)通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化...

27亿一台!台积电大手笔购买最先进光刻机,目标直指1nm芯片!

这27亿一台的光刻机啊，可不是一般的设备。它采用了最先进的技术和工艺，能够制造出精度极高的芯片。咱们知道，芯片上的电路图案是非常细小的，要想把这些图案准确地“刻”到硅片上，就得用非常精密的设备。而这台光刻机呢，它的精度和性能都达到了前所未有的高度。它能够制造出1纳米级别的芯片，这是目前世界...

尼康官宣其首款后端工艺用光刻机:1μm 分辨率,2026 财年发售

尼康官宣其首款后端工艺用光刻机：1μm分辨率，2026财年发售IT之家10月24日消息，尼康本月22日宣布该公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高分辨率及高生产性能”的1.0微米（即1000纳米）分辨率数字光刻机，该设备预计在尼康2026财年（IT之家注：截至2026年3月31日...

国产光刻机解决0到1,更先进的光刻机有了希望,ASML慌了

对比之下,ASML的DUV光刻机分辨率可以达到38纳米以下,缩刻精度达到5.5纳米以下;EUV光刻机的分辨率达到13纳米以下,套刻精度达到2纳米以下。从技术方面来说,ASML确实更先进,不过对比起ASML可以卖给中国的DUV光刻机,中国的光刻机在分辨率和套刻精度方面的差距已快速缩短,这对于中国来说是从0到1的巨大进步,毕竟解决了...

专家解读65纳米光刻机的分辨率 技术瓶颈与多重曝光潜力

专家解读65纳米光刻机的分辨率近期,互联网上关于“65纳米光刻机”的讨论颇为热烈,但诸多言论缺乏权威依据,导致不少人对这一技术概念的理解愈发模糊。有人仅凭“8纳米套刻精度”来阐释65纳米光刻机的分辨能力,这种简化处理加深了混淆。幸运的是,随着科普工作的推进,大众逐渐达成一项共识:提及的65纳米分辨率、搭...

光刻机板块仅一家,掌握全球少数纳米光刻技术,腰斩后量能放大4倍

今天财报翻译官将深入分析一家深耕光刻工艺10多年,在国内率先实现MEMS光刻工艺产业化应用的企业,它就是泰晶科技(www.e993.com)2024年11月23日。公司是全球少数几家掌握晶体微纳米MEMS光刻技术的企业,并在国内率先实现了国产替代。目前,这家企业已经大幅回撤了72%,并于近期量能开始放大。在本周四,公司的成交金额只有7275万元。而在周五,这家企业...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。外界的存疑并不是毫无来由。首先,纳米压印并不是一项新技术。相比于光刻在1961年被引入芯片生产用以造出第一台光刻机,纳米压印在半导体领域长期处于边缘位置。

3纳米光刻机 国产光刻机厂家

传统意义上的“纳米”指的是1亿分之一米，而3纳米则意味着可以精确到0.003微米，这样的精度要求设计和生产过程必须达到前所未有的水平，以确保每一个电子元件都能准确无误地放置在指定位置。这台3纳米光刻机的成功研制，离不开国内科学家团队的长期努力和自主创新。他们将国际先进技术与本土创新相结合，攻克了一...

台积电不用新一代EUV光刻机!2030年的1nm再说

台积电不用新一代EUV光刻机!2030年的1nm再说Intel已开始接收ASML提供的新一代高数值孔径(High-NA)极紫外光(EUV)光刻机,预计该技术将在Intel18A工艺节点之后得到应用。这表示它将用于制造小于1.8纳米的芯片,预计时间框架为2026至2027年。Intel首席执行官基辛格透露了其中一个新节点可能相当于1.5纳米工艺水平,...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

于无声处听惊雷,日本浸润式DUV光刻机赶超ASML提及尼康的NSR-S636E,从发布的关键技术指标看,这款曝光机由于采用增强型iAS设计,可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正,重叠精度(MMO)更高,不超过2.1纳米,分辨率小于38纳米,镜头孔径1.35,对比当前型号,它的整体生产效率可提高10-15%,创下尼康光刻设备的新高,产能(wph)...