雄起!网传上海微电子申请7nm光刻机专利,中国产EUV光刻机不是梦

至于光刻机方面，上海微电子的7纳米专利引发了广泛讨论。这项专利的核心技术是极紫外辐射发生器，这是制造EUV光刻机的关键组件。如果中国能够实现这一技术的量产，将有机会打破ASML的垄断地位。当然，这还需要时间。目前，中国的14纳米光刻机已经成功研发，正在进行量产测试。7纳米的研发进展虽然令人振奋，但要真正应用...

不要只盯着EUV了,DUV光刻机其实也能造3纳米甚至2纳米芯片

也就是说,不用昂贵的EUV光刻机,只用DUV光刻机,在解决4重光刻技术的前提下,也能制造全世界最先进的芯片。所以,不要完全盯住EUV光刻机,只要把浸润式光刻机玩透彻,没有EUV依然是可以造出全球最先进的芯片。从效率上看,最先进的DUV系统每小时可以曝光500片,而EUV只有170片到220片,EUV光刻的效率远低于DUV的上...

国产EUV光刻机,万众瞩目,成美国芯片禁令的破局点

对于芯片制造商而言，EUV光刻机是实现先进制程芯片生产的“钥匙”。它利用波长仅为13.5纳米的极紫外光来刻画电路图案，使得芯片上的晶体管数量可以进一步增加，同时减小了芯片尺寸和功耗。根据国际半导体技术路线图（ITRS），EUV光刻技术是未来7nm及以下节点的关键技术之一。目前，全球仅有荷兰ASML公司能够生产商用级别的...

国产EUV光刻机,有了新进展了?较ASML的技术,有改进?

而EUV光刻机技术,对于全球所有的国家而言,都是难事,否则就不会只有ASML一家能够制造了,连美国、日本都制造不出来。所以现在国产企业能够在EUV光源的收集上有专利,并且改进了ASML的技术,也是一个大突破了,我们相信后续随着这新的积累越来越多,那么国产EUV光刻机,也就水到渠成了。

喜大普奔!国产高端DUV光刻机突然官宣!节后抢筹概念股?

就远期前景和先进制程而言,EUV光刻机的缺失,意味着国内晶圆厂需要依赖多重曝光技术来扩充14-7nm甚至7nm以下制程的产能。多重曝光(multiplepatterming)技术能够通过降低光刻瑞利准则中的工艺因子k1来提高光刻机分辨率,对IC制程微缩起到重要作用。多重曝光能将光刻图形拆分到多个光掩模上,通过多次曝光降低线宽,具体包括...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机(www.e993.com)2024年12月18日。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。

光刻机产业链深度报告:国产路漫其修远,中国芯上下求索

出货:EUV光刻机销量逐步增长,KrF与l-line仍为主要需求类型EUV光刻机销量逐步增长,KrF与l-line仍为主要需求类型。根据各公司官网数据,2023年,全球前三大光刻机厂商销售共计681台,同比增长21.82%;从光刻机类别分析,KrF与l-line仍为市场主流类别,EUV、ArFi、ArF、KrF、l-line出货量分别为53、134、42、242、210...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

据东海证券援引ASML官网数据,2023年各类光刻机均价为EUV(17386万欧元)、ArFi(7196万欧元)、ArFdry(2742万欧元)、KrF(1192万欧元)、i-Iine(399万欧元)。东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,短期5~10年内一方面重点发展90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键,一方面重点布局国内半导...

俄罗斯制造出首台国产350nm芯片光刻机,并宣称2028年投产7nm芯片...

俄罗斯自己造出了芯片行业“皇冠上的明珠”——首台光刻机。钛媒体App5月26日消息,据当地消息,日前举行的“工业俄罗斯数字产业”会议上,俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·施帕克(VasilyShpak)表示,俄罗斯自己研发的首台光刻机已经制造完成并正在进行测试,该设备可确保生产350nm制程工艺芯片,可应用于汽车、能源...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。