中国首台光刻机成功量产,喜讯传来!

近期的科技新闻中，中国首台光刻机实现量产无疑是一个振奋人心的里程碑。这不仅是科技进步的象征，更是中国在全球科技竞争中的一次重要胜利，标志着我们已经踏上了成为光刻机制造强国的道路。这一消息不仅让国内民众感到振奋，也让许多国际观察者开始重新审视中美之间的竞争局势。在美国和荷兰，相关消息的传出可谓是灾...

印度媒体称中国光刻机为20年前技术,引发国际网友热议嘲讽

到了2019年，中国首台国产DUV光刻机终于问世。尽管该光刻机在国际市场上仅能达到“勉强合格”的水平，但这标志着中国在自主半导体领域迈出了重要一步数据来源：中科院半导体研究所。中国28nmDUV光刻机研发成功经过多年努力，在2023年中国光刻机领域迎来了重大突破。科研人员成功研发出具有完全自主知识产权的28nm...

官宣了!中国光刻机重大突破,已成为全球唯一生产线完整的国家!

2023年，中国工信部宣布，国内已研发出中高端光刻机并具备量产条件，这意味着中国在光刻机领域已不再完全依赖国外技术，并且在某些领域甚至超越了一些国际竞争对手。官方公布的两款光刻机分别为KrF和ArF光刻机，分别代表中端和高端设备，其中KrF光刻机的分辨率达到了110nm，而ArF光刻机的分辨率则达到了65nm，这已经...

台积电用旧光刻机生产1.6纳米,中国成ASML先进光刻机的救命稻草

EUV光刻机难卖,ASML就寄望于刚刚研发成功的2纳米EUV光刻机,2纳米EUV光刻机售价高达3.8亿美元,第一代EUV光刻机售价1.2亿美元,ASML期待着台积电、三星和Intel争抢2纳米EUV光刻机,如此将确保它的业绩增长。然而如今台积电却宣布采用原有的EUV光刻机生产1.6纳米,这就让ASML难受了,台积电为全球最大的芯片代工厂,如...

2020年网友透露的光刻机消息已有部分被证实!美国的限制终将失败

由此可见,国产SSA800-10W光刻机就已经能够满足11纳米以下制程工艺量产要求。在此要强调一点,我国在2021年就已经造出SSA800-10W。2022年3月18日,中科院微电子研究官方网站发布了《2021年年鉴》,文中提到:完成28nm浸没光刻机曝光光源10mJ@4KHz工程样机交付整机使用及15mJ@6KHz原理样机研制。

国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点

电子束曝光机概述电子束曝光(EBL,也称之为电子束光刻)始于上世纪60年代,是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术,是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备(www.e993.com)2024年11月2日。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用,使胶由长(短)链变成断(长)链,实现曝光,相比于光刻机具有更高的分辨率,...

芯片那些事儿

蔡司在EUV光刻机的研发中,负责设计和制造高精度的光学系统,尤其是关键的反射镜组件。EUV光刻机的光学系统,需要在极短的波长下保持高度的反射率和极低的热变形,这对光学设计和制造提出了前所未有的挑战。蔡司凭借其在光学领域的深厚积累,成功开发出了满足EUV光刻需求的光学系统,为ASML的光刻机提供了核心竞争力。

俄罗斯自研芯片出厂了,能用吗

前阵子,俄罗斯科学院下属的诺夫哥罗德应用物理研究所宣布研发俄罗斯首套半导体光刻设备,“将于2028年问世,不仅能够生产出7纳米芯片,还可以击败阿斯麦同类产品”。俄罗斯工业和贸易部副部长VasilyShpak此前接受采访时介绍,2024年开始生产350纳米微影光刻机,2026年启动用于生产130纳米制程芯片的微影光刻机,目前还没有进一...

日本半导体产业的行与不行

日本今后能否在半导体产业获得更多影响力,取决于日本半导体全产业链的研发能力,特别是在自己的优势领域能否持续研发和外延。比如,佳能和大日本印刷最近几年在积极研发纳米压抑技术,2023年10月已正式推出相关设备。如果这个技术获得成功,比起使用光刻机,制造成本会大幅度下降,就会蚕食ASML的市场份额。

(2023.11.26)半导体周要闻-莫大康

第3名:英伟达截至2023年7月31日,过去12个月的研发费用:78.1亿美元。第4名:AMD截至2023年9月30日,过去12个月的研发费用:57.3亿美元。第5名:台积电截至2023年9月30日,过去12个月的研发费用:55.3亿美元。