国产芯突破5纳米,美芯巨头直接将订单给到2026年,倪光南说对了

国产芯片技术突飞猛进，通富微电在5纳米工艺上取得重大突破。这家低调的中国企业不仅技术实力惊人，还赢得了全球半导体巨头AMD的青睐，获得了长达数年的大量订单。事件经过2024年初，半导体行业传出一个令人震惊的消息：中国一家名不见经传的企业通富微电在5纳米芯片制造工艺上取得了突破性进展。这个消息一经传出...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

此次推出的65纳米光刻机,虽然与全球最顶尖的7纳米光刻机仍有差距,但已经能够满足大部分工业芯片的生产需求。尤其是在汽车制造、家电智能化等领域,28纳米及以上的芯片需求庞大,而中国自主研发的光刻机正好填补了这一市场空白。更重要的是,随着国产光刻机的不断改进,中国芯片产业逐步摆脱了对外技术的依赖。这不...

源达研究报告:国内光刻机发展道阻且长,国产突破行则将至

三、光刻机市场阿斯麦一家独大,国内需求高速增长ASML在全球光刻机市场一家独大。2023年ASML、Nikon和Canon共出货光刻机681台,其中ArF、ArFi和EUV型号的高端光刻机出货量为229台,其中ASML出货210台,占到约92%份额,ArFi(浸没式)光刻机共出货134台,出货量较2022年增长50...

专家访谈精华:国产光刻机突破65纳米

中国工业和信息化部(工信部)近日宣布在芯片制造设备的自主研发方面取得突破,特别是在激光浸没式光刻机技术上取得了显著进展。■建议的设备分辨率为65纳米或更高,相比此前最先进的国产设备(上海微电子的90纳米光刻机),实现了重大提升。■该公告虽未提及具体供应商,但包括氧化炉、干法刻蚀机等设备在内的多个国产...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的 10 件事

中国自己的7nm光刻机,是不是真的造出来了?起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?

国产芯突破5纳米,美芯巨头AMD直接把订单给到2026年!

国产芯突破5纳米，美芯巨头AMD直接把订单给到2026年！随着全球半导体市场竞争的加剧，中国企业通富微电的最新进展引发了广泛关注(www.e993.com)2024年11月2日。据了解，通富微电不仅成功掌握了5nm工艺技术，还在7nm以下技术开发方面取得了显著成果。此外，这家企业已经跻身业内一流，其产品广受众多公司的欢迎。其中，全球半导体巨头AMD决定在未来...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

01工信部公开推广两款国产DUV光刻机,最小套刻≤8nm,多只光刻机概念股走强。02氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度,与ASML旗下TWINSCANXT:1460K性能相近。03目前光刻机国产化率仅为2.5%,核心原因在于零组件供应与整机技术与海外差距较大。

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

日前,工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称“目录”)中显示,中国已攻克氟化氩光刻机,其中该目录中,公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm指标引发了业内的关注。几乎是与此同时,上海微电子披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及...

能耗据称只要十分之一!佳能交付首台新型纳米压印光刻机

佳能光学产品副首席执行官KazunoriIwamoto对媒体表示，公司计划在未来3-5年内，每年销售10-20台此类设备。对于佳能来说，进一步推广纳米压印技术也存在一些挑战。首先由于“压印”的物理机制，这种光刻机需要更先进的技术防止细小的尘埃颗粒造成芯片缺陷。同时由于芯片制造涉及广泛的产业链，拓展更多公司、特别是材料企业...