美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

更让人兴奋的是，2024年9月的时候，工信部发布消息说，中国研制出了两台新光刻机呢。氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，...

运营商财经网康钊:光刻机巨头阿斯麦给中国芯片业泼冷水?

阿斯麦对中国光刻机技术的评论可能源于华为手机芯片,去年华为推出的Mate60及今年推出的Pura70手机都显示出华为突破了7纳米芯片工艺。国外科技网站i曾拆解了华为Pura70Pro手机,发现麒麟9010处理器外部标记似乎与在中国某公司7nm节点上生产的旧版麒麟9000S相匹配,据此认为麒麟9010采用了中国某公司的7纳米工艺节点。这可能...

美媒:能让阿斯麦瘫痪台积电光刻机,结果阿斯麦一天蒸发600亿

阿斯麦的EUV光刻机是制造7纳米及以下制程芯片的核心设备，而这些芯片广泛应用于5G、人工智能、自动驾驶等前沿技术领域。自2019年以来，美国政府一直在向荷兰施压，要求其禁止阿斯麦将EUV设备出口到我国。经过长时间的外交斡旋，荷兰政府最终屈服于美国的压力，于2022年正式宣布，阿斯麦将不再向我国出售EUV光刻机。决定标志...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

西方媒体的舆论阵地果然没有底线,从中国不可能自主研发出先进的光刻机,到中国不可能摆脱西方供应链,再到中国不可能完成光刻机整个生产线。如今随着我国成功制造出65纳米光刻机,西媒的话术又变成了中国不可能生产出28纳米的芯片。他们完全看不到,中国已经成为全球唯一一个拥有光刻机完整生产线的国家。自中美贸易...

申请专利:中国7纳米芯片光刻技术取得重大突破

申请专利:中国7纳米芯片光刻技术取得重大突破据工业和信息化部发布的最新消息,上海微电子装备(集团)股份有限公司已成功提交了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利申请(申请号:CN202310226636.7)。该专利针对当前极紫外(EUV)光刻技术中的关键挑战,提出了一种创新性的解决方案,旨在高效且简便地收集...

国产DUV光刻机研制成功,各国反应:荷兰气愤,韩国美国意外

虽然目前氟化氩光刻机,只能够支持7纳米及以上制程节点的芯片生产,距离先进的5纳米及以下的芯片,还有一段距离,但是万事开头难,如今我们把头都开好了,还愁之后不好进行?各国对于中国新成就的反应但是国际发展从来都是几家欢喜几家愁,关于中国成功的研制出了国产DUV光刻机,相信大家也很好奇其他国家的反应!

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

另据东兴证券,波长光电为国内激光光学元件的主要供应商,目前,公司已具备提供光刻机配套的大孔径光学镜头的能力,公司成功开发的光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套。波长光电也曾于2023年9月15日披露投资者活动记录表称,公司在半导体领域主要涉及两个领域:一个是生产领域,即曝光机、光刻,公司可提供大口径光...

俄罗斯,会比中国先造出EUV光刻机?

至于文章内容,前一半分析了目前EUV光刻机供需格局,核心信息在中国读者看来都算是大路货,后一半则是梳理了俄罗斯研究人员在EUV光源和反射镜上的积累,作者据此认为,俄罗斯可以直接跳过浸没式DUV光刻机,一步到位攻关EUV光刻机:“与中国不同的是,我们拥有成为世界第二大超现代极紫外线光刻机制造商所需的一切”。

ASML CEO:中国不可能造出7nm及以下先进光刻机!

近日,ASML(阿斯麦)公司的首席执行官克里斯托夫-福凯在接受媒体采访时表示,尽管中国芯片制造业在产能上持续增长,但在高端半导体技术方面,尤其是7纳米及以下级别的先进光刻机,中国厂商仍面临巨大挑战,目前看来几乎不可能实现自主生产。福凯首先强调了全球对中国制造“传统芯片”的需求,并指出这些芯片对于填补全球尤其是欧洲...

ASML终止维修中国的光刻机!甚至大放“豪言”:契约精神我说了算

其中受影响大将是华为手机,届时中国芯片可能无法为其生产7纳米和5纳米级别的芯片。不难看出,美国在限制中国发展的道路上下定了决心,甚至不惜在背后偷偷教唆荷兰政府,让其对中国芯片的生产进行限制。荷兰政府也是真听美国的话,直接要求ASML公司停止中国的光刻机售后服务,丝毫不顾及购买时的条约。