荷兰光刻机限令刚出,中国卡点官宣新技术!落后ASML水平20年?

就在荷兰宣布限制光刻机出口的几天后，中国迅速发布了自主研发的氟化氩光刻机的消息。这台光刻机虽然在技术上与ASML的最先进设备有较大差距，目前只能达到8纳米以下的制程精度，但它的出现标志着中国在光刻机自主研发领域迈出了实质性的一步。西方的“看衰”声音随之而来。有媒体直接评论称，中国的光刻机技术水平...

中国的7nm光刻机是不是造出来了?

业界专家称，按套刻精度与量产工艺精度1∶3的关系，这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。但考虑到套刻精度误差更大等原因，该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm光刻机”的分辨率要求。总体来说，这次曝光的国产DUV光刻机，应该是之前90nm分辨率的国产光刻机的改良版，能用于55—65nm的成熟制程芯片制造需求。...

中科大副院长:美国都造不出的光刻机,中国永远不可能造出来!

2023年,中国成功研制出了28nm光刻机,这是一个重要的里程碑。虽然与世界最先进的5nm甚至3nm光刻机相比还有差距,但这个成果证明了中国在这一领域的实力和潜力。精度问题是光刻机研发中的一个关键挑战,但专家们认为,克服这个问题只是时间问题。随着研发的深入和技术的积累,中国距离制造7nm光刻机的目标已经不远了。

中科大教授:美国造不出光刻机,中国有机会吗?我国选择另开赛道

美国都造不出来的光刻机，中国能造出来吗？两年前，中科大教授朱士尧，曾对中国的半导体行业现状做出评价。按照朱士尧的说法：“中国如今面临的芯片封锁，是难以突破的。尤其是光刻机，自研难度几乎是原子弹的100倍。就算再给中国50年时间，也未必能拿下光刻机”。话说我国真的无法攻克光刻机难题吗？还是说这位教授...

俄罗斯制造出首台国产350nm芯片光刻机,并宣称2028年投产7nm芯片...

俄罗斯自己造出了芯片行业“皇冠上的明珠”——首台光刻机。钛媒体App5月26日消息,据当地消息,日前举行的“工业俄罗斯数字产业”会议上,俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·施帕克(VasilyShpak)表示,俄罗斯自己研发的首台光刻机已经制造完成并正在进行测试,该设备可确保生产350nm制程工艺芯片,可应用于汽车、能源...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”(www.e993.com)2024年11月22日。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。外界的存疑并不是毫无来由。首先,纳米压印并不是一项新技术。相比于光刻在1961年被引入芯片生产用以造出第一台光刻机,纳米压印在半导体领域长期处于边缘位置。

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

中国自己的7nm光刻机,是不是真的造出来了?起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?

港媒:国产光刻机公布重大技术突破,但半导体自给之路仍任重道远

近日,香港知名国际媒体《南华早报》刊载文章称,根据中国工业和信息化部(MIIT)的消息,中国近期推出了两种国产的半导体光刻机械,这些设备在深超紫外(DUV)光刻技术上取得了重大的技术突破,并且拥有自主知识产权。这两种机械尚未有过公开的市场表现,但据可靠消息称,其中一种能够在193纳米(nm)波长下工作,分辨率低于65nm,重...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!

9月9日,工信微报微信公众号发文披露《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。其中,在电子专用设备一栏,氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。该资料显示,氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。据东兴证券研报,光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机,市场主流有i-Iine(汞...

项立刚:光刻机这颗明珠很快要变成玻璃珠了!中国已拿下光刻机

其ArF和KrF光刻机已实现批量供货,成为华为海思、紫光展锐等龙头芯片企业的重要供应商。华卓精科则在EUV(13.5纳米)极紫外光刻机领域取得突破,EUV光刻机是目前最先进的光刻设备,可实现5纳米及以下的超精细制程。而华为凭借这一技术实现了7纳米芯片的量产,结束了长期依赖进口的被动局面。