不甘落后!中国国产光刻机官宣后,美国怒砸30亿赶超新能源汽车

阿斯麦的第三大市场是中国大陆，去年还上升到了第二呢，这可是在面临各种制裁和限制的情况下达成的。阿斯麦在全球光刻机市场占了60%的份额，它可是现在全球唯一能生产EUV的企业。EUV在制造14纳米以下的先进制程芯片时被广泛运用，也是生产高端智能手机不能少的设备。中国是全球智能手机消费大国，在这些国家里那是排在...

2纳米芯片必备的底层技术,国产厂商还真有储备

2010年成立的拓荆科技,主要就是生产半导体领域薄膜沉积设备的,他们的主要产品线就包括原子层沉积(ALD)设备,且已广泛应用于国内晶圆厂14纳米及以上制程集成电路制造产线,并已展开10纳米及以下制程产品验证测试。实际上,国内目前除了高端光刻机外,其他半导体设备基本都能自研。另外,ALD特别适合用在复杂的三维结构中,而...

美媒:能让阿斯麦瘫痪台积电光刻机,结果阿斯麦一天蒸发600亿

美媒：能让阿斯麦瘫痪台积电光刻机，结果阿斯麦一天蒸发600亿在今年的5月21日，彭博社报道称，荷兰的光刻机生产企业已承诺能够在欧洲使台积电最新款极紫外光刻机陷入瘫痪。当时美国的媒体十分自得其乐，把这件事情作为自己的筹码来炫耀，甚至幻想能够通过威胁台湾来制衡大陆。没想到美国这次不仅未能对中国构成威胁，反而...

中国造光刻机无望?中科大高层放狠话:中国永远都造不出来

去年哈工大成功研发出一项高速超精密激光干涉仪技术,这一成果对于14纳米光刻机的研发至关重要。而这一技术突破,正是光刻机研发道路上的重要一步。更值得一提的是,国内政府与科研机构的合作正在不断加强。哈尔滨市政府批准的国产光刻机项目,以及国仪超精密集团的参与,都意味着中国在这一领域的研发力度正在不断加大。

国产光刻机进步显著!但仍与ASML相距20年

根据ASML官网的说法，这台光刻机能够直接制作出57纳米工艺的芯片，不过这里说的57纳米工艺是不考虑多次曝光的情况，也就是说，一次光刻就能达到这么高的精度。国产光刻机与ASML技术差距约10年哎呀，用咱们大白话来说就是，这国产的氟化氩光刻机跟那TWINSCANXT：1460K比起来，顶多也就是那个级别的水平。大家都...

中国造不出光刻机?中科大副院长:美国造不出,中国永远都不可能

“美国造不出来,中国永远也研制不出光刻机”说这句话的不是美国人,而是中国科学技术大学研究生院的副院长朱士尧(www.e993.com)2024年11月1日。要知道,光刻机是制造先进芯片的关键设备,目前全球最先进的极紫外(EUV)光刻机,只有荷兰ASML公司能够生产,售价高达1.5亿美元。中国企业长期未能突破这一技术壁垒,成为制约我国芯片产业发展的瓶颈。

中俄传来光刻机的好消息,ASML的垄断被打破,美国图谋破灭了

首先是俄罗斯传出光刻机的消息,俄罗斯方面指他们已成功研发350纳米的光刻机,在突破光刻胶的空白之后,俄罗斯的光刻机可望加快技术升级,预计到2026年实现65纳米的国产化,2030年实现14纳米的国产化。中国也已传出了好消息,中国研发28纳米浸润式光刻机已取得重大进展,28纳米光刻机为浸润式光刻机的起点,浸润式光刻...

正式确认,国内的光刻机完全可以生产5纳米,先进工艺不再是桎梏

一直以来,国产芯片研发先进工艺都存在不小的争议,因为ASML没有将先进的EUV光刻机卖给中国芯片企业,中国芯片企业之前买下的最先进光刻机也是2000i,台积电曾以这款光刻机生产7纳米。为了打破芯片工艺对国产芯片的限制,国内芯片制造企业一直在尝试以现有的浸润式DUV光刻机开发7纳米乃至5纳米工艺,其中的一项重要技术是多...

国产半导体设备四巨头罕见对话,信息量爆棚!

尹志尧预测“到今年夏天左右,我们基本可以做到自主可控”,并谈到国产光刻机在离子注入和电子束领域仍存在短板,有待补齐。吕光泉和张国铭都认为,Chiplet和HBM(高带宽内存)等新技术方向或许能成为国产替代弯道超车的着力点。此外,虽然国产替代需要客户和产业链的信任和合作,但张国铭强调,不能因为是国产的,就降低设备的标...

专家访谈汇总:铜线取代PCB?

同时,阿斯麦等设备制造商通过提升NA值和路径结构设计进一步提升光刻机的精度。根据阿斯麦的进展和路线图,其DNA光刻机的数值孔径NA最高可达1.35,加上特定配置,理论上单次曝光的工艺精度可达40纳米左右。而对于需要28纳米、14纳米甚至7纳米工艺的芯片制程则需结合晶圆厂的工艺,其中EUV光刻机的高NA版本已经实现交付,对应...