工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列

中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

小米的3nm和燕东微用的光刻机

在国产光刻机迟迟不见动静的情况下，是不是国产芯片技术又要被拉大距离了？星空君认为并非如此。现在的制程并非真实的物理间距，在14nm以后，这些数字就几乎不存在任何物理上的意义了，仅仅相当于一个代号。成了各厂家的文字游戏，Intel的10nm在台积电那里叫7nm，在三星那里叫5nm。不否认台积电2nm技术的先进性，但...

美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

更让人兴奋的是，2024年9月的时候，工信部发布消息说，中国研制出了两台新光刻机呢。氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

近期国产氟化氩光刻机的问世,引发了国内外网友的热议。这款氟化氩光刻机分辨率≤65nm,套刻≤8nm,大概可以量产28nm工艺的芯片,中国成为世界上唯一一个通过一国技术能力完成的套刻≤8nm的DUV浸没式光刻机的国家。业内均知,这是一款相对初级的DUV光刻机,没法用来加工7nm先进芯片。ASML在高端EUV上的护城河很深,...

绕过光刻机造8nm芯片?复旦大学突然宣布,外媒:大势已去了

也就是说在存储芯片领域,可以通过这种新工艺绕过光刻机直接造出8nm制程的闪存芯片!据悉目前该论文已经发表于国际权威期刊《自然》上面。要知道在目前的硅基闪存芯片领域,制程工艺的极限在15nm,只要低于15nm工艺就会十分不稳定,所以就连三星和SK海力士都没有追求更先进的制程工艺,而是通过多层堆叠来实现性能的提升。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

光源系统方面,据华金证券,针对准激光光源,科益虹源主要研发248nm准分子激光器、干式193nm准分子激光器等;福晶科技研发KBBF晶体(www.e993.com)2024年11月1日。另据东兴证券,波长光电为国内激光光学元件的主要供应商,目前,公司已具备提供光刻机配套的大孔径光学镜头的能力,公司成功开发的光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套。

为什么中国大陆,还制造不出5nm、3nm的先进芯片?

另外还有技术本身,并不是你拥有光刻机、有材料,就一定能够制造出5nm芯片的。芯片制造也是非常有门槛的,大家看看联电、格芯等,什么材料、设备都能买到,为何还停留在14nm,一方面是他们不想再往下了,二就是技术难度。像intel,为何多年打磨14nm?也是因为进入先进工艺太难,后来不得不改名,将7nm改成intel4,5nm改...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

很快,有人说:太好了。轻舟已过万重山,实锤了。中国终于有了自己的7nm光刻机,可以造出自己的7nm芯片,不怕再被卡脖子了。可是,还有人说:别激动。只是误会。那个“8nm”不是重点,它上面那个“65nm”才是。国产芯片还只在65nm的水平,努努力最多也就能够到28nm,离7nm还远得很。

2024年中国光刻机产业链图谱研究分析(附产业链全景图)

中国光刻机产业链上游为材料、设备及组件,材料及设备包括光刻胶、电子特气、涂胶显影设备等,组件包括激光器、掩膜板、掩膜台、遮光器等;中游为不同类型光刻机,包括有掩膜光刻机和无掩膜光刻机;下游为应用领域,包括芯片制作、芯片封装、功率器件制造、LED、MEMS制造。

禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

他们均代表着国内光刻机最先进的技术，硬生生打了所有质疑者的脸。尽管国产光刻机仍与世界先进水平有不小的差距，但28nm及以上的水平已经够用了，除了智能手机、显卡、超级计算机等对计算能力需求较高的设备之外，成熟芯片几乎霸占了大部分市场。对此各位网友有何看法，欢迎留言讨论...