想要解决国产EUV光刻机卡脖子情况,必须要攻克两个核心难点

首先，我们来探讨EUV光源技术。光刻机依赖反射镜来引导光线，但极紫外光的反射效率极低，通常需要经过十多次反射才能将光源导入到晶圆上。当光源最终到达晶圆后，其整体能量已不足2%，因此无法进行晶圆制造，这就要求一个非常强大的光源。极紫外线技术最初由英特尔提出，美国政府随后成立了一个名为EUVLLC的技术联盟。

中国研发光刻机,比ASML早20年,为什么还被美国卡脖子?

这一成绩标志着中国在干式DUV（深紫外线）光刻技术上取得了重大突破。然而，与行业领头羊ASML相比，国产光刻机仍有明显的差距。ASML的浸润式DUV光刻机已经能够实现10纳米及以下的分辨率，甚至在EUV（极紫外）光刻技术上也处于领先地位。据《半导体产业协会》（SEMI）的报告显示，ASML的EUV光刻机已经在7纳米及以下节...

比光刻机更精密的组织:台积电的权力和帝国

而随着大量极紫外线光刻机(EUV)的投入使用,2025年台积电电力消耗将达到全台的12.5%。台湾能源供给97%都依赖进口,台积电的“电老虎”对台湾来说是一个不小的负担。但考虑到对房价和经济的拉动,台湾人民恐怕宁肯夏天不开冷气、冬天不用热水,也得保障这台印钞机的运作。薪资丰厚、地位超然,台湾年轻人会挤破头抢着...

拜美国所赐,荷兰光刻机巨头阿斯麦“爆雷”

“中国是阿斯麦一个非常重要的市场。”但塔夫茨大学法律与外交学院国际历史学助理教授、《芯片战争》一书的作者克里斯·米勒指出,受美国主导的出口限制的影响,阿斯麦在华销售额的大部分来自于浸润式(DUV)光刻机,而非其最先进的极紫外线(EUV)光刻机。原本,阿斯麦在中国市场的销售可以稳步增长。但迫于美国的压力,荷...

中芯国际12亿美元购买阿斯麦光刻机

阿斯麦是全球最大的半导体光刻设备供应商,实现7nm以下先进半导体制程的关键设备——极端紫外线光刻机(EUV)就由该公司生产,并且是全球唯一能够量产EUV的厂商。阿斯麦3月4日澄清称,同中芯国际的协议已于2018年1月1日签订,最初将一直持续到2020年12月31日,并于2021年2月1日延长至2021年12月底。

国产光刻机虽落后ASML 20年,但距离浸润式技术仅一步之遥

距离浸润式DUV光刻机仅一步之遥(www.e993.com)2024年11月22日。从光刻机的技术发展来看，未来将由第四代干式技术ArF迈向第五代浸润式技术ArFi，最终进入第六代极紫外线光刻机EUV。当前这款光刻机的分辨率已是浸润式的前期代表，若能在此基础上继续努力，国产光刻机的未来将非常可观，甚至能够生产5nm芯片。

阿斯麦暴雷的原因找到了?其大客户三星据称已推迟接收EUV光刻机

虽然阿斯麦并没有透露推迟建厂的客户的名字，但有媒体率先报道称，三星推迟了部分阿斯麦设备的交付。其中两名消息人士指出，被三星要求延迟发货的设备涉及ASML的先进芯片制造设备极紫外线（EUV）光刻。这批机器原定于今年早些时候交付，但到目前还没有发货。EUV机器每台耗资约2亿美元，通过光束在硅片上创造设计式样，被...

海目星:中红外飞秒激光技术为平台型技术,理论上可以激发极紫外光...

公司回答表示,您好。中红外飞秒激光技术为平台型技术,理论上可以激发极紫外光,但光刻机的极紫外光源的技术难度相对较高,目前我们的激光技术距离专业光源尚有差距。感谢关注。

重大突破!极紫外光刻新技术问世,超越半导体制造业标准界限,功耗比...

随着半导体技术的更新换代,光刻机也从最开始的g线(436nm)逐渐发展为近十年间兴起的EUV光刻机,从接触式向接近式,最后演变成步进式为主。EUV光刻机,又称极紫外线光刻机,是芯片生产工具,是生产大规模集成电路的核心设备,对芯片工艺有着决定性的影响,其中,小于5纳米的芯片晶圆,只能用EUV光刻机生产。

极紫外光刻新技术问世,大幅降本增效

极紫外线光刻机(ExtremeUltra-violet),又通常被称为EUV光刻机,它以波长为10~14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术,该设备当前可被应用于14纳米及以下的先进制程芯片的制造。极紫外线光刻机是芯片生产工具,是生产大规模集成电路的核心设备,对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆,只能用EUV光刻机生产...