讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
其实,当PN结反偏的时候,如果有大量的少数载流子,漂移所形成的反向电流,也是会很强的。三极管的放大状态,就是利用了这个原理。忽略了反向电流,就讲不清楚如何放大了。---下面再简述一下三极管的放大过程。对于NPN型的三极管,通常可认为发射极接地,基极的电压,应设为0.7V。此时,发射结就是正偏,电流...
模拟电子200问-电子工程专辑
答:发射结正偏;集电结反偏。18、三极管输入输出特性曲线一般分为几个什么区域?答:一般分为放大区、饱和区和截止区。19、放大电路的基本组态有几种?它们分别是什么?答:三种,分别是共发射极、共基极和共集电极。20、在共发射极放大电路中,一般有那几种偏置电路?答:有上基偏、分压式和集-基反馈式。
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
HBT的全称是HeteroJunctionBipolarTransistor,中文名为异质结双极型晶体管。HBT是一种特殊的BJT器件。HBT对普通BJT的改进是在发射极和基极之间采用不同的半导体材料,形成异质p-n结,来抵挡住基极载流子向发射极的注入,这样就可以使发射极中更多的载流子流入集电区,从而提高集电极到发射极之间的电流。外围观察到的现...
10个问题,让你真正学懂三极管
对于硅管来说,PN结的导通电压是0.7V(www.e993.com)2024年9月11日。所以发射结电压Ube小于0.7V的导通电压时,发射结反偏,Ib为0。Uce>Ube,集电结反偏,三极管工作在截止状态。放大:发射结正偏、集电结反偏当发射结电压Ube等于0.7V的导通电压,发射结导通,Uce>Ube,集电结反偏。Ic=β*Ib,其中β正常情况下在几十到100多的范围内。Ib...
科普:电子技术的主要知识
最大反向电流是指在规定温度下,二极管加上最高反向工作电压时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好。温度升高时,反向电流会显著增加。(4)最高工作频率最高工作频率取决于PN结结电容的大小,结电容越大,二极管允许的最高频率越低。除上述参数外,还有最大瞬时电流、最高使用温度等。
常见电子元件的识别与检测
一、电阻导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻(Resistor,通常用“R”表示)是一个物理量,在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
上图中,发射结正偏,空穴大量进入基区,他们在基区身份仍然是少数载流子的身份,此时,如前所述,这些注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结,到达集电极,形成集电极电流Ic。三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。
第三代半导体材料4H-SiC将带来革命性的变化
这是由于在反偏应力过程中SiO2/4H-SiC界面电荷发生改变,导致器件击穿电压发生漂移。虽然测试结果显示器件的击穿电压在常温下均缓慢恢复,但是很难恢复到初始值。推测是由于部分被界面陷阱捕获的载流子很难在常温无外加应力的条件下释放出来,导致器件击穿电压很难恢复到初始值。