三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
放大状态时,集电结反偏。反偏时,应该由少数载流子导电,而此时,基区里面,恰好有大量的少数载流子。那么,反偏的集电结,会出现很大的电流Ic,就一点也不奇怪了。---由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流Ib,和集电极反偏的电流Ic,存在一个比例关系,即:Ic=/β1*Ib/β是β上面加一横。
干货| 这样讲解ESD太容易理解了
以NMOS为例,原理都是Gate关闭状态,Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的,当I/O端有大电压时,则Drain/BulkPN结雪崩击穿,瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏,所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏),所以呈现特性,起到保护作用。PMOS同理推导。这个原理看起来简单,...
【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP的三极管还是NPN的三极管,都可以用锗或者硅两种材料制作,所以三极管又可以分为锗三极管和硅三极管。下面,相宁就以光电二极管与光电三极管为例,详细介绍一下它们之间的区别。(来源...
如何理解和区分贴片三极管的三种状态
发射结正偏,集电结反偏——放大状态;发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态;发射结反偏,集电结也反偏——截止状态。这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制,例如:在放大状态时,随着输入电流的增大,当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时,则电源电压就完全降落在负载电阻上,于是...
电巢:为什么我努力学模电,还是学不好?
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽(www.e993.com)2024年9月11日。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画...
科普:电子技术的主要知识
(2)穿透电流(集-射极穿透电流)Iceo基极开路时集电结处于反偏,发射结处于正偏,此时通过集电极的电流好似直接从发射区穿透到集电区的,故称其为穿透电流。对这种情况下的载流子进行分析,可得到穿透电流Iceo与集-基极反向饱和电流Icbo的关系式Iceo=Iceo+βIcbo=(1+β)Icbo...
常见电子元件的识别与检测
普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较...
Mos管被静电击穿的原因分析及解决方案
反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效,在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时,大部分功率消耗在结区中心,而正偏时,则多消耗在结区外的体电阻上。对于双极器件,通常发射结的面积比其它结的面积都小,而且结面也比其它结更靠近表面,所以常常观察到的是发射结的退化。
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
上图中,发射结正偏,空穴大量进入基区,他们在基区身份仍然是少数载流子的身份,此时,如前所述,这些注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结,到达集电极,形成集电极电流Ic。三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。