三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
一文搞懂IGBT
这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反。解释3:增强型相对于耗尽型,增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通,栅极电压越低,则p型源、漏极的正离子就越靠近中间,n衬底的负离子就越远离栅极,栅极电压达到一个值,叫...
几张动图搞懂三极管
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画...
必看!IGBT基础知识汇总!
这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的...
三级管如何测量好坏
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb(www.e993.com)2024年8月15日。1、发射区向基区发射电子电源Ubb经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发...
【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
根据外加电压方式的不同,三极管也存在三种状态:1截止区,2饱和区,3放大区。截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP的三极管还是NPN的三极管,都可以用锗或者硅两种材料制作,所以三极管又可以分为锗三极管和硅三极管。
「硬见小百科」三极管的放大区、饱和区、截止区如何区分
发射结正偏,集电结反偏——放大状态;发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态;发射结反偏,集电结也反偏——截止状态。这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制,例如:在放大状态时,随着输入电流的增大,当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时,则电源电压就完全降落在负载电阻上,于是...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
放大状态时,集电结反偏。反偏时,应该由少数载流子导电,而此时,基区里面,恰好有大量的少数载流子。那么,反偏的集电结,会出现很大的电流Ic,就一点也不奇怪了。---由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流Ib,和集电极反偏的电流Ic,存在一个比例关系,即:Ic=/β1*Ib...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...