IGBT产业公司汇总及知识学习
IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS,集电极电流IC类似于漏极电流ID,集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。6.IGBT如何选型...
几张动图搞懂三极管
有集电极c、基极b、发射极e、以及两个PN结:集电结和发射结。集电极面积比较大,基极厚度薄而且载流子浓度比较低。下图是个NPN型的三极管:当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c...
必看!IGBT基础知识汇总!
这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的I...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
这就是PN结的正向导通。正向电流,就是由多数载流子“扩散”形成的。此时,PN结里面,同时还有一个相反的作用,即少数载流子的“漂移”。因为少数载流子的密度很小,电源的方向和这个漂移电流,还是相反的,所以,漂移电流极小,也就忽略不计了。---PN结反偏时,PN结里面的载流子同样有“扩散”和“漂移”两...
10个问题,让你真正学懂三极管
如上所述,从结构上来看,三极管可以看作由两个PN结组成。e极和b极间的PN结,我们叫发射结,c极和b极间的PN结叫集电结。当PN结正偏时,电路导通;反偏时,电路不导通。所以三极管的工作状态与其发射结、集电结的偏置状态息息相关。当我们给三极管加上电源,三极管就会进入工作状态。
科普:电子技术的主要知识
PN结对正向电流的阻碍作用很小,电流容易通过(www.e993.com)2024年9月11日。相反,如果把外电源反接,则外电场方向与PN结内电场的方向一致,因而加强了对多数载流子的阻挡作用,使得PN结中流过的电流极小,这一电流又称为反向漏电流。PN结加反向电压时对电流的阻碍作用,从外部看,反映出PN结的反向电阻很大,这就是半导体PN结具有单向导电性的基本原理。
常见电子元件的识别与检测
就是指用六色环表示阻值的电阻,六色环电阻前五色环与五色环电阻表示方法一样,第六色环表示该电阻的温度系数。只在有特定要求的场合下的电子产品才会使用,一般使用非常少。二、电容电容(Capacitance)亦称作“电容量”,是指在给定电位差下自由电荷的储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。一般来说,电荷在电场中会受...
一文搞懂IGBT
这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
上图中,发射结正偏,空穴大量进入基区,他们在基区身份仍然是少数载流子的身份,此时,如前所述,这些注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结,到达集电极,形成集电极电流Ic。三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。
半导体三极管基础知识解析|晶体管|场效应管|三极管_新浪新闻
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e(Emitter)、基极b(Base)和集电极c(Collector)。如右图所示当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几...