讲透三极管_手机新浪网
放大状态下Ic并不受控于Vc,Vc的作用主要是维持集电结的反偏状态,以此来满足三极管放大态下所需要外部电路条件。对于Ic还可以做如下结论:Ic的本质是“少子”电流,是通过电子注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流,因此它就可以很容易地反向通过集电结。5、Ic与Ib的关系接着上面的讨论,集电极电流Ic与集电极...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基...
晶体管分类有哪些?收藏这一张图就够了!
发射结,集电结反偏,Ube<0,Ubc<0;b、放大区放大区内,各条输出特性曲线近似为水平直线,表示当Ib一定时,Ic的值基本不随Uce而变化,但是,当基极电流有一个微小的变化量△ib时,集电极电流将产生较大变化△ic;发射结正偏,集电结反偏,Ube>0,Ubc<0;β=△ic/△ib;c、饱和区集电极电流Ic基本不随基极...
已形成草案,电子五所牵头起草一项第三代半导体晶体管测试团体标准
导读:2022年7月18日,由工信部电子五所牵头起草的《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准形成委员会草案。2022年7月18日,由工信部电子五所牵头起草的《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准形成委员会草案,该项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序...
双极晶体管基础知识解析
★放大区:发射结正偏,集电结反偏。放大区的特点是:◆IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大表示管子电流放大系数b越大。
小科普|一文看懂IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制(www.e993.com)2024年9月11日。1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。
电力晶体管基础知识解析
在电力电子技术中,GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此,给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力晶体管特点l输出电压可以采用脉宽调制方式,故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
一文读懂IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电区的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与...
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
图:正偏及反偏下的p-n结从“晶体管”开始,直到改变世界只是用p-n结二极管,还不足以设计集成电路。在半导体物理的基本原理被人类掌握之后,人类就开始用半导体材料设计制造一些特殊器件。比如:利用半导体导电性能与温度之间的关系,可以设计出热敏电阻,来感知温度变化;利用有些半导体导电性能与光照之间的关系,可...