三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。
晶体管分类有哪些?收藏这一张图就够了!
发射结正偏,集电结反偏,Ube>0,Ubc<0;β=△ic/△ib;c、饱和区集电极电流Ic基本不随基极电流Ib而变化;三极管压降很小,一般有Uce<Ube;发射结,集电结都正偏,Ube>0,Ubc>0;β>Ic/Ib;d、倒置状态集电极和发射极接反的情况;一般不会烧掉,但是β会下降严重;发射结反偏,集电结正偏;三种组态...
集成电路技术的根本——晶体管的故事
晶体管的基本工作条件是发射结(B、E极之间)要加上较低的正向电压(即正向偏置电压),集电结(B、C极之间)要加上较高的反向电压(即反向偏置电压)。晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压,即硅管为0.6~0.7V,锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。晶体管的工作状态晶体管有截止、导通和...
双极晶体管基础知识解析
是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压,这是发射结所允许加的最高反向电压。BVceo这是共发射极组态的击穿电压,即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时,集电结是反偏、发射结是正偏的,即BJT处于放大状态。温度对的影响:是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的,当温度升高...
小科普|一文看懂IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。
晶体管的工作状态判断和工作条件
晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏(www.e993.com)2024年8月16日。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7V,Vbc《0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定):对于NPN型锗管,Vbe≈0.2V,Vbc《0V;对于PNP型的晶体三极管,上述电压值的符号相反,即小功率PNP型硅管Vbe≈-0.7V,Vbc》0...
电力双极型晶体管
固定反偏互补驱动电路是由具有正、负双电源供电的互补输出电路构成的,当电路输出为正时,GTR导通;当电路输出为负时,发射结反偏,基区中的过剩载流子被迅速抽出,管子迅速关断。比例驱动电路是使GTR的基极电流正比于集电极电流的变化,保证在不同负载情况下,器件的饱和深度基本相同。集成化驱动电路克服了上述电路元件多、...
电力晶体管基础知识解析
电力晶体管工作原理在电力电子技术中,GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此,给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力晶体管特点l输出电压可以采用脉宽调制方式,故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...
IGBT产业公司汇总及知识学习
1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题4.IGBT的主要参数(1)集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压...