吃透MOS管,看这篇就够了
当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场,由于氧化物层是绝缘的,栅极所加电压VGS...
电子技术知识判断题精选|三极管|二极管|晶体管|放大器|集电极...
14、当三极管的发射结和集电结都处于正向偏置时,三极管截止、相当于开关断开。×当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管截止,相当于开关断开。15、晶体三极管的输入特性是指当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时,加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。16、三...
一文搞懂IGBT
IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。为了便于理解,这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。当VGS=0V时,源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结,因此不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压,总有一个pn结处于反偏状态,漏、源极间没有导电沟道,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
几张动图搞懂三极管
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画...
必看!IGBT基础知识汇总!
IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线(www.e993.com)2024年8月17日。为了便于理解,这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。当VGS=0V时,源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结,因此不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压,总有一个pn结处于反偏状态,漏、源极间没有导电沟道,...
干货|工程师必须要弄清楚的27个模拟电路基础知识
晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容滤波只输出交流信号。10功放要求输出功率尽可能大...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
其实,当PN结反偏的时候,如果有大量的少数载流子,漂移所形成的反向电流,也是会很强的。三极管的放大状态,就是利用了这个原理。忽略了反向电流,就讲不清楚如何放大了。---下面再简述一下三极管的放大过程。对于NPN型的三极管,通常可认为发射极接地,基极的电压,应设为0.7V。此时,发射结就是正...
干货|这几种常见的保护电路,你都了解吗?
当触发器输出置高时,脚3输出的电压为低电平,触发器输出为低时,脚3输出的电压为高电平。输出级能够提供的最大电流为200mA,晶体管V2是PNP管,它的发射极接内部基准电压Vr,Vr的取值总是小于电源电压Vcc,因此,若将V2的基极(脚4复位)接到Vcc上,V2的基—射极为反偏,晶体管V2截止。
晶体三极管的结构和作用以及工作原理
1严重割裂晶体二极管与三极管在原理上的自然联系。没有真正说明三极管集电结为何会发生反偏导通并产生Ic?这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2不能说明放大状态下集电极电流Ic为什么只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数β关系。