基础知识之晶体管
晶体管由PN结组成,通过在基极流过电流,而在集电极-发射极间流过电流。在这里,以NPN晶体管为例来说明其工作原理。当在基极和发射极之间施加正向电压(VBE)时,发射极的电子(负电荷)流入基极,部分电子会与基极的空穴(正电荷)结合。这就是基极的微小电流(IB)。基极(P型半导体)在结构上很薄,从发射极流入基极的...
100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
第三,当发射结没有正向偏置,也就是是截止的时候,集电极和发射极之间没有电流流动。例如,如果基极接地,发射结就没有导通,这个二极管就相当于关闭了,相应的电流就不会从集电极流向发射极。当发射结正偏时,电流可以在集电极和发射极之间流动,三极管处于导通状态:当三极管导通时,发射结的行为就像一个二极管,所以基极...
几张动图搞懂三极管
这里的三极管也叫双极型晶体管,模电的放大电路和数电的简单逻辑电路里面都会用到。有集电极c、基极b、发射极e、以及两个PN结:集电结和发射结。集电极面积比较大,基极厚度薄而且载流子浓度比较低。下图是个NPN型的三极管:当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集...
民生研究|晨听民声 2023.12.11
算力方面,MI300X的XCD加速模块采用5nm工艺,共计拥有1530亿个晶体管,TF32浮点运算性能为653.7TFlops,FP16和BF16运算性能为1307.4TFlops,FP8和INT8运算性能为2614.9TFlops,均为英伟达H100的1.3倍。内存方面,MI300X的内存配置是英伟达H100的2.4倍,峰值存储带宽是其2.4倍,在运行Bloom时的推理速度是H100的1.6倍,运行...
EUV光刻机重磅报告,美国发布
在99%的良率下,148万个晶体管将有缺陷——目标是99.99996%的良率或6Sigma(6??)(www.e993.com)2024年8月15日。良率必须非常好——良率完全取决于过程控制和缺陷。如果良率足够,制造EUV芯片的成本由生产率(吞吐量)决定。换句话说,更好的Pitch分辨率是必要的,但对于HVM来说还不够。
芯片为什么那么难造?|光刻|晶体管|gpu|微处理器_网易订阅
1958年,他用“锗”(Ge)做出了一个原型,里头包含一个晶体管、三个电阻以及一个电容,在用导线连接后,能产生正弦波。这种崭新的电路被称为“集成电路”,后来也有了个大家更为熟知的简称——芯片。基尔比本人在2000年斩获诺贝尔物理学奖,表彰他的发明。
运算放大器电路 第35课 直流偏置电路
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大,就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路。
科学家首次制备出硅-石墨烯-锗高速晶体管
a-d.使用轻掺杂Ge衬底时的硅-石墨烯发射结和石墨烯-锗集电结IV曲线、输入(Ie-Ve)和转移(Ic-Ve)特性曲线、共基极增益α、输出特性(Ic-Vc)曲线。e-h.使用重掺杂Ge衬底时的相应曲线。图4考虑石墨烯量子电容效应时晶体管的能带示意图。a.无偏压。b.发射结正偏。c.集电结反偏。相关物理现象及...
全球首次,中国科学家制成高速晶体管,有望终结半导体硅晶片时代
考虑石墨烯量子电容效应时晶体管的能带示意图。a.无偏压。b.发射结正偏。c.集电结反偏。相关物理现象及应用研究介绍详见论文补充材料。可以说,这一研究工作提升了石墨烯基区晶体管的性能,未来将有望在太赫兹领域的高速器件中应用,为最终实现超高速晶体管奠定了基础。不过,这仅仅是第一步,未来还有许多工作...